英特尔与台积电在1.8nm芯片制造领域展开激烈竞争。英特尔CEO陈立武宣布，Intel 18A制程已进入风险试产阶段，亚利桑那州Fab 52工厂已完成流片，计划今年内量产。此外，Intel 14A（1.4nm）预计2027年问世，性能功耗比提升15%-20%。台积电则计划2028年量产A14（1.4nm），A16节点将采用SPR技术。随着AI需求增长，英伟达旗舰GPU已采用多芯片拼接，未来将依赖台积电2nm工艺。尽管台积电在密度和成本上占优，但英特尔的节点更早实现量产且功耗更低。英特尔计划2025年下半年量产18A，2027年研发10A（1nm）。同时，全球芯片制造正向本土化转移，台积电美国投资增至2000亿美元，而英特尔在德国项目遇阻。预计2025年全球半导体设备投资将达1215亿美元，2030年产业产值有望破万亿美元。