11月6日，受HBM4涨价消息推动，美股存储板块爆发，美光科技股价周三大涨近9%，盘中创下239.88美元的历史新高。韩国SK海力士透露，与英伟达完成HBM4供应谈判，单价较HBM3E高出50%以上，达到约560美元，超出市场预期。此消息提振存储行业情绪，希捷科技和闪迪涨超10%，西部数据涨超5%。美光2025财年HBM相关收入达100亿美元，第四财季单季收入接近20亿美元。多家机构上调美光目标价，花旗预测DRAM价格将创90年代以来最大季度涨幅。不过，美光HBM4面临良率与性能挑战，可能需重新设计并推迟量产，同时SK海力士与三星扩产或加剧竞争压力。

分析机构TrendForce集邦咨询9月18日表示，英伟达2026年HBM4内存供应仍由SK海力士主导，得益于其技术成熟度与产能优势。然而，若英伟达为提升Rubin GPU竞争力要求供应商提供更快的10Gbps HBM4，三星电子或因采用自家4nm FinFET工艺而受益。不过，英伟达也可能因规格升级推高成本或能耗而选择部分型号导入更高规格组件，或者延后第二阶段认证以开放更多供应商参与。

2025年9月14日，SK海力士宣布率先完成全球首款HBM4内存研发，并已准备好大规模量产。该内存采用2048-bit I/O接口位宽，单针脚带宽达10Gbps，单颗带宽高达2.5TB/s，超出JEDEC标准的8Gbps，可为AI设备带来最多69%性能提升。SK海力士使用自研MR-MUF封装技术和1bnm工艺（第五代10nm级），但堆叠层数和单颗容量尚未披露，预计最高支持12层堆叠。HBM4将成为下一代AI基础设施关键组件，NVIDIA Rubin预计将搭载288GB HBM4，而AMD Instinct MI400系列最高可达432GB，带宽19.6TB/s。三星也在积极推进HBM4，试图与SK海力士竞争。

9月11日，韩国内存芯片制造商SK海力士股价创下历史新高，盘中一度涨至329500韩元，收盘涨7%至328500韩元。这一上涨源于其下一代高带宽内存HBM4即将量产的消息。HBM4带宽较上一代提升两倍，能效改善超40%，可使AI服务性能提升69%，并降低数据中心电力成本。SK海力士已向客户交付HBM4样品，计划下半年完成12层HBM4量产准备。若通过英伟达测试，其内存将被用于2026年推出的Rubin系列AI加速器。分析师预测，SK海力士的HBM市场份额到2026年或达60%。与此同时，三星电子正加紧1c DRAM产能布局，试图追赶SK海力士在HBM4领域的领先优势。

7月1日，英特尔在AI峰会上宣布正与SK海力士合作开发下一代AI加速器，计划在其代号为Jaguar Shores的Gaudi AI芯片中采用SK海力士的HBM4技术。此举将使英特尔的AI芯片规格与NVIDIA和AMD的下一代产品持平，后两者也计划于2026年推出支持HBM4的芯片。SK海力士副总裁Jung Woo-seok透露了双方在HBM集成方面的合作，但具体细节尚未最终确定。英特尔与SK海力士长期合作，有消息称英特尔可能为后者制造HBM基底芯片，但仍未确认。该合作旨在提升英特尔在AI芯片领域的竞争力。

据《科创板日报》1日报道，SK海力士表示正在与英特尔合作，开发大带宽、大容量内存技术，并有望向英特尔即将推出的Jaguar Shores AI显卡加速器供应HBM4内存。此次合作标志着双方在AI芯片领域的深度协同，进一步推动高性能计算的发展。

5月22日，据TrendForce集邦咨询报道，受AI服务器需求推动，HBM4技术成为行业焦点，三星、SK海力士和美光等三大存储原厂正加速推进HBM4产品研发。HBM4通过增加I/O数量及优化芯片设计提升性能，但这也导致晶圆面积扩大并提升了制造复杂度。此外，部分厂商采用逻辑芯片架构进一步提高性能，这些因素共同推高了生产成本。参考HBM3e刚推出时约20%的溢价比例，预计HBM4的溢价幅度将超过30%。

2025年3月19日，SK海力士宣布全球首发12层HBM4样品并开始向主要客户出货，预计2025年下半年完成量产。HBM4相较HBM3E带宽提升60%，达到2TB/s。三星计划今年下半年启动HBM4量产，正加速研发并采用自有4nm工艺。美光则预计2026年实现HBM4量产，但对其前景充满信心。封装技术成为HBM竞争关键，SK海力士的MR-MUF技术显著提升了散热性能。未来HBM将向更先进制程、存算一体及混合架构方向发展，应用领域也将扩展至超算、5G/6G及智能汽车等。

3月19日，韩国半导体企业SK海力士宣布推出专为人工智能设计的超高性能DRAM新品——12层HBM4，并在全球范围内首次向主要客户提供了该产品的样品。作为下一代存储技术，HBM4将显著提升数据处理速度与效率，助力高性能计算和AI领域的发展。SK海力士透露，预计将在今年下半年完成量产准备工作。这一进展标志着全球半导体行业在先进存储解决方案上的又一重要突破。

三星电子计划今年上半年完成第六代HBM“HBM4”的开发，比原计划提前约6个月。此举旨在抢占AI芯片市场先机，因英伟达计划提前6个月于今年第三季度推出下一代AI加速器“Rubin”。SK海力士也在加速HBM4的开发和量产。三星急需在HBM4领域取得突破，以进入英伟达供应链。投资者关注三星能否借此扭亏为盈。