据TrendForce集邦咨询2月13日消息，随着AI基建扩张及GPU需求增长，英伟达Rubin平台量产将推动HBM4需求上升。目前三大存储器原厂的HBM4验证已接近尾声，预计将在2026年第二季度完成。三星因产品稳定性优势，有望率先通过验证，SK海力士与美光紧随其后。届时，三大厂商或将形成供应英伟达HBM4的竞争格局，进一步巩固其在高端存储市场的地位。

2026年2月12日，三星电子宣布已开始大规模生产HBM4，并向客户进行商业发货。这款被描述为“顶级性能”的HBM4是三星在高端半导体领域的重要突破，主要用于驱动生成式人工智能技术。长期以来，三星在HBM市场上落后于本土竞争对手SK海力士，后者在技术和英伟达订单中占据主导地位。此次量产标志着三星在人工智能芯片竞赛中的关键进展，试图缩小与SK海力士的差距并争夺更多市场份额。

2026年2月11日，三星电子首席技术官表示，内存芯片的强劲需求将持续至2027年，主要得益于人工智能推动。他透露，HBM4芯片制造良率良好，客户对其性能反响积极。三星计划本月晚些时候启动HBM4的大规模生产，并交付主要客户。该芯片采用1c工艺（第六代10纳米级DRAM技术）制造DRAM单元，基板芯片则使用4纳米工艺，数据处理速度高达每秒11.7Gbps，超越联合电子器件工程委员会规定的8Gbps标准。这一进展凸显三星在高端内存市场的技术领先地位。

2026年2月9日，研究机构Semianalysis发布报告，将美光在英伟达下一代AI芯片Vera Rubin中的HBM4市场份额下调至0%。该机构指出，目前未见英伟达订购美光HBM4的迹象，并预测SK海力士和三星电子将分别占据英伟达HBM4供应量的70%和30%。Vera Rubin是英伟达正在开发的下一代Blackwell AI芯片，预计将成为首款采用HBM4的芯片。这一调整表明美光可能在高端存储市场面临更大竞争压力，而SK海力士与三星则进一步巩固其市场地位。

三星电子计划最早于本月第三周开始量产HBM4芯片，用于英伟达下一代人工智能计算平台Vera Rubin。此决定是在通过英伟达认证测试后，结合Vera Rubin的上市计划综合考量得出。业界预计，英伟达可能在下月的年度开发者大会（GTC）上首次展示搭载三星HBM4的相关产品。这一进展显示了三星在高性能存储领域的技术实力及与英伟达的深度合作，或为AI计算领域带来新突破。（韩联社）

2025年接近尾声，年初提出的“半导体十大技术趋势预测”迎来关键验收期。2nm工艺实现阶段性量产，台积电、三星、英特尔均取得进展，但大规模供货仍需等到2026年。SK海力士率先量产HBM4存储芯片，三星紧随其后，预计2026年放量。先进封装领域，台积电CoWoS产能显著提升，并加速布局CoPoS技术。AI处理器方面，英伟达Blackwell Ultra GB300规模化量产，谷歌TPU展现特定场景优势。国产车规芯片如地平线征程6P、黑芝麻C1200加速上车，智驾市场进入决赛阶段。量子处理器仍在探索实用化，IBM规划2029年交付大规模容错量子计算机。硅光与CPO技术推动1.6T光模块落地，RISC-V切入AI计算核心战场，8英寸SiC晶圆开始放量，驱动电动汽车与光伏应用。AI+EDA重要性凸显，新思科技DSO.ai和英伟达cuLitho大幅提升设计效率。

12月16日，三星电子与SK海力士已向英伟达交付第六代高带宽内存（HBM4）的付费最终样品。这些样品将用于英伟达下一代人工智能加速器Rubin中。目前，双方谈判进入最后阶段，仅剩质量认证这一关键步骤。业内预计，HBM4的产量和价格将在2026年第一季度确定。此次合作标志着高性能存储技术在AI领域的进一步突破。（SeDaily）

JEDEC固态技术协会于12月11日宣布接近完成SPHBM4内存规范。SPHBM4采用与标准HBM4相同的DRAM核心层，但接口基础裸片设计不同，可安装在有机基板上，而非硅基板。相比标准HBM4的2048个I/O引脚，SPHBM4仅需512个，并通过更高的工作频率和4:1串行化技术实现相当的数据传输速率。这一设计适应有机基板较低的凸点间距密度，同时允许更长线径，提升单一封装中集成的堆栈数量，从而增加系统内存总容量。此规范有望推动高容量内存应用发展。

三星电子与SK海力士计划在2026年上半年完成新一代高带宽内存HBM4E的研发。该技术将应用于包括英伟达Rubin平台顶级版本R300在内的新型人工智能加速器中。搭载HBM4E的AI加速器预计于2027年发布，为此双方正加速研发进程，并力争在2025年下半年完成质量验证。这一进展凸显了全球科技巨头在AI硬件领域的激烈竞争和技术革新步伐。(ChosunBiz)

2026年，AMD将推出Instinct MI450系列AI加速卡，包括面向AI训练的MI455X和高性能计算的MI430X两款型号。该系列采用下一代CDNA 5架构、2nm工艺及3.5D封装技术，配备432GB HBM4内存，纵向带宽达3.6TB/s，横向带宽300GB/s。FP8性能峰值为20PFlops，新FP4格式下可达40PFlops。AMD称，其内存容量与纵向带宽较NVIDIA Rubin领先50%，其他关键性能指标也处于同一水平。若AMD进一步优化ROCm平台生态，将对NVIDIA形成强大竞争压力，为行业提供更多选择。