2025年接近尾声，年初提出的“半导体十大技术趋势预测”迎来关键验收期。2nm工艺实现阶段性量产，台积电、三星、英特尔均取得进展，但大规模供货仍需等到2026年。SK海力士率先量产HBM4存储芯片，三星紧随其后，预计2026年放量。先进封装领域，台积电CoWoS产能显著提升，并加速布局CoPoS技术。AI处理器方面，英伟达Blackwell Ultra GB300规模化量产，谷歌TPU展现特定场景优势。国产车规芯片如地平线征程6P、黑芝麻C1200加速上车，智驾市场进入决赛阶段。量子处理器仍在探索实用化，IBM规划2029年交付大规模容错量子计算机。硅光与CPO技术推动1.6T光模块落地，RISC-V切入AI计算核心战场，8英寸SiC晶圆开始放量，驱动电动汽车与光伏应用。AI+EDA重要性凸显，新思科技DSO.ai和英伟达cuLitho大幅提升设计效率。

12月16日，三星电子与SK海力士已向英伟达交付第六代高带宽内存（HBM4）的付费最终样品。这些样品将用于英伟达下一代人工智能加速器Rubin中。目前，双方谈判进入最后阶段，仅剩质量认证这一关键步骤。业内预计，HBM4的产量和价格将在2026年第一季度确定。此次合作标志着高性能存储技术在AI领域的进一步突破。（SeDaily）

JEDEC固态技术协会于12月11日宣布接近完成SPHBM4内存规范。SPHBM4采用与标准HBM4相同的DRAM核心层，但接口基础裸片设计不同，可安装在有机基板上，而非硅基板。相比标准HBM4的2048个I/O引脚，SPHBM4仅需512个，并通过更高的工作频率和4:1串行化技术实现相当的数据传输速率。这一设计适应有机基板较低的凸点间距密度，同时允许更长线径，提升单一封装中集成的堆栈数量，从而增加系统内存总容量。此规范有望推动高容量内存应用发展。

三星电子与SK海力士计划在2026年上半年完成新一代高带宽内存HBM4E的研发。该技术将应用于包括英伟达Rubin平台顶级版本R300在内的新型人工智能加速器中。搭载HBM4E的AI加速器预计于2027年发布，为此双方正加速研发进程，并力争在2025年下半年完成质量验证。这一进展凸显了全球科技巨头在AI硬件领域的激烈竞争和技术革新步伐。(ChosunBiz)

2026年，AMD将推出Instinct MI450系列AI加速卡，包括面向AI训练的MI455X和高性能计算的MI430X两款型号。该系列采用下一代CDNA 5架构、2nm工艺及3.5D封装技术，配备432GB HBM4内存，纵向带宽达3.6TB/s，横向带宽300GB/s。FP8性能峰值为20PFlops，新FP4格式下可达40PFlops。AMD称，其内存容量与纵向带宽较NVIDIA Rubin领先50%，其他关键性能指标也处于同一水平。若AMD进一步优化ROCm平台生态，将对NVIDIA形成强大竞争压力，为行业提供更多选择。

11月6日，受HBM4涨价消息推动，美股存储板块爆发，美光科技股价周三大涨近9%，盘中创下239.88美元的历史新高。韩国SK海力士透露，与英伟达完成HBM4供应谈判，单价较HBM3E高出50%以上，达到约560美元，超出市场预期。此消息提振存储行业情绪，希捷科技和闪迪涨超10%，西部数据涨超5%。美光2025财年HBM相关收入达100亿美元，第四财季单季收入接近20亿美元。多家机构上调美光目标价，花旗预测DRAM价格将创90年代以来最大季度涨幅。不过，美光HBM4面临良率与性能挑战，可能需重新设计并推迟量产，同时SK海力士与三星扩产或加剧竞争压力。

分析机构TrendForce集邦咨询9月18日表示，英伟达2026年HBM4内存供应仍由SK海力士主导，得益于其技术成熟度与产能优势。然而，若英伟达为提升Rubin GPU竞争力要求供应商提供更快的10Gbps HBM4，三星电子或因采用自家4nm FinFET工艺而受益。不过，英伟达也可能因规格升级推高成本或能耗而选择部分型号导入更高规格组件，或者延后第二阶段认证以开放更多供应商参与。

2025年9月14日，SK海力士宣布率先完成全球首款HBM4内存研发，并已准备好大规模量产。该内存采用2048-bit I/O接口位宽，单针脚带宽达10Gbps，单颗带宽高达2.5TB/s，超出JEDEC标准的8Gbps，可为AI设备带来最多69%性能提升。SK海力士使用自研MR-MUF封装技术和1bnm工艺（第五代10nm级），但堆叠层数和单颗容量尚未披露，预计最高支持12层堆叠。HBM4将成为下一代AI基础设施关键组件，NVIDIA Rubin预计将搭载288GB HBM4，而AMD Instinct MI400系列最高可达432GB，带宽19.6TB/s。三星也在积极推进HBM4，试图与SK海力士竞争。

9月11日，韩国内存芯片制造商SK海力士股价创下历史新高，盘中一度涨至329500韩元，收盘涨7%至328500韩元。这一上涨源于其下一代高带宽内存HBM4即将量产的消息。HBM4带宽较上一代提升两倍，能效改善超40%，可使AI服务性能提升69%，并降低数据中心电力成本。SK海力士已向客户交付HBM4样品，计划下半年完成12层HBM4量产准备。若通过英伟达测试，其内存将被用于2026年推出的Rubin系列AI加速器。分析师预测，SK海力士的HBM市场份额到2026年或达60%。与此同时，三星电子正加紧1c DRAM产能布局，试图追赶SK海力士在HBM4领域的领先优势。

7月1日，英特尔在AI峰会上宣布正与SK海力士合作开发下一代AI加速器，计划在其代号为Jaguar Shores的Gaudi AI芯片中采用SK海力士的HBM4技术。此举将使英特尔的AI芯片规格与NVIDIA和AMD的下一代产品持平，后两者也计划于2026年推出支持HBM4的芯片。SK海力士副总裁Jung Woo-seok透露了双方在HBM集成方面的合作，但具体细节尚未最终确定。英特尔与SK海力士长期合作，有消息称英特尔可能为后者制造HBM基底芯片，但仍未确认。该合作旨在提升英特尔在AI芯片领域的竞争力。