7月1日，英特尔在AI峰会上宣布正与SK海力士合作开发下一代AI加速器，计划在其代号为Jaguar Shores的Gaudi AI芯片中采用SK海力士的HBM4技术。此举将使英特尔的AI芯片规格与NVIDIA和AMD的下一代产品持平，后两者也计划于2026年推出支持HBM4的芯片。SK海力士副总裁Jung Woo-seok透露了双方在HBM集成方面的合作，但具体细节尚未最终确定。英特尔与SK海力士长期合作，有消息称英特尔可能为后者制造HBM基底芯片，但仍未确认。该合作旨在提升英特尔在AI芯片领域的竞争力。

据《科创板日报》1日报道，SK海力士表示正在与英特尔合作，开发大带宽、大容量内存技术，并有望向英特尔即将推出的Jaguar Shores AI显卡加速器供应HBM4内存。此次合作标志着双方在AI芯片领域的深度协同，进一步推动高性能计算的发展。

5月22日，据TrendForce集邦咨询报道，受AI服务器需求推动，HBM4技术成为行业焦点，三星、SK海力士和美光等三大存储原厂正加速推进HBM4产品研发。HBM4通过增加I/O数量及优化芯片设计提升性能，但这也导致晶圆面积扩大并提升了制造复杂度。此外，部分厂商采用逻辑芯片架构进一步提高性能，这些因素共同推高了生产成本。参考HBM3e刚推出时约20%的溢价比例，预计HBM4的溢价幅度将超过30%。

2025年3月19日，SK海力士宣布全球首发12层HBM4样品并开始向主要客户出货，预计2025年下半年完成量产。HBM4相较HBM3E带宽提升60%，达到2TB/s。三星计划今年下半年启动HBM4量产，正加速研发并采用自有4nm工艺。美光则预计2026年实现HBM4量产，但对其前景充满信心。封装技术成为HBM竞争关键，SK海力士的MR-MUF技术显著提升了散热性能。未来HBM将向更先进制程、存算一体及混合架构方向发展，应用领域也将扩展至超算、5G/6G及智能汽车等。

3月19日，韩国半导体企业SK海力士宣布推出专为人工智能设计的超高性能DRAM新品——12层HBM4，并在全球范围内首次向主要客户提供了该产品的样品。作为下一代存储技术，HBM4将显著提升数据处理速度与效率，助力高性能计算和AI领域的发展。SK海力士透露，预计将在今年下半年完成量产准备工作。这一进展标志着全球半导体行业在先进存储解决方案上的又一重要突破。

三星电子计划今年上半年完成第六代HBM“HBM4”的开发，比原计划提前约6个月。此举旨在抢占AI芯片市场先机，因英伟达计划提前6个月于今年第三季度推出下一代AI加速器“Rubin”。SK海力士也在加速HBM4的开发和量产。三星急需在HBM4领域取得突破，以进入英伟达供应链。投资者关注三星能否借此扭亏为盈。

英伟达CEO黄仁勋要求SK海力士提前6个月供应HBM4芯片。SK海力士计划在2025年下半年推出首批采用12层DRAM堆叠的HBM4产品。此前，SK海力士与台积电于今年4月签署合作谅解备忘录，三方还计划在2026年开始量产。SK海力士在10月24日发布的2024财年第三季度财报显示，公司正从HBM3迅速转向HBM3E，9月已开始量产的12层HBM3E产品预计在第四季度开始供货。这使得第三季度DRAM总销售额中HBM占比30%，预计在第四季度将达到40%。此次提前供货的要求凸显了市场对高性能存储芯片的需求紧迫性。

AI技术的迅猛发展正驱动着高带宽存储需求激增，其中英伟达作为HBM（高带宽内存）市场的主导者，预计在2025年推出Blackwell Ultra、B200A等产品后，其在HBM市场的采购比重将突破70%。根据TrendForce集邦咨询的最新报告，由于AI芯片与单芯片容量的增长，2024年HBM消耗...

韩媒报道，三星计划采用4nm制程生产HBM4芯片逻辑裸晶，挑战SK海力士和台积电，欲夺回HBM市场主导。三星4nm良品率超70%，已在Galaxy S24上应用，瞄准高性能和低功耗。然而，三星HBM尚未通过英伟达测试，预计HBM3E第3季可能获认证。SK海力士与台积电结盟，或采用5nm制程生产HBM4，且寻求成为英伟达硅中介层供应商。两家公司为满足英伟达GPU对HBM的强劲需求，展开激烈竞争。

台积电携手创意电子赢得SK海力士大单，将独家代工下一代HBM4基础界面芯片。随着AI和HPC需求激增，HBM3供应紧张，三大内存厂商竞相投资HBM4研发，计划于2025年底量产，2026年放量出货。SK海力士与台积电合作，创意电子负责HBM4芯片设计，预计采用12纳米和5纳米工艺，NRE项目有望于下半年启动，为HBM供应链注入增长动力。这一动态发生在6月24日，显示了半导体行业的最新进展。