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2026年2月11日，三星电子首席技术官表示，内存芯片的强劲需求将持续至2027年，主要得益于人工智能推动。他透露，HBM4芯片制造良率良好，客户对其性能反响积极。三星计划本月晚些时候启动HBM4的大规模生产，并交付主要客户。该芯片采用1c工艺（第六代10纳米级DRAM技术）制造DRAM单元，基板芯片则使用4纳米工艺，数据处理速度高达每秒11.7Gbps，超越联合电子器件工程委员会规定的8Gbps标准。这一进展凸显三星在高端内存市场的技术领先地位。
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