2026年2月12日，三星电子宣布已开始大规模生产HBM4，并向客户进行商业发货。这款被描述为“顶级性能”的HBM4是三星在高端半导体领域的重要突破，主要用于驱动生成式人工智能技术。长期以来，三星在HBM市场上落后于本土竞争对手SK海力士，后者在技术和英伟达订单中占据主导地位。此次量产标志着三星在人工智能芯片竞赛中的关键进展，试图缩小与SK海力士的差距并争夺更多市场份额。

2026年2月11日，三星电子首席技术官表示，内存芯片的强劲需求将持续至2027年，主要得益于人工智能推动。他透露，HBM4芯片制造良率良好，客户对其性能反响积极。三星计划本月晚些时候启动HBM4的大规模生产，并交付主要客户。该芯片采用1c工艺（第六代10纳米级DRAM技术）制造DRAM单元，基板芯片则使用4纳米工艺，数据处理速度高达每秒11.7Gbps，超越联合电子器件工程委员会规定的8Gbps标准。这一进展凸显三星在高端内存市场的技术领先地位。

2026年2月9日，研究机构Semianalysis发布报告，将美光在英伟达下一代AI芯片Vera Rubin中的HBM4市场份额下调至0%。该机构指出，目前未见英伟达订购美光HBM4的迹象，并预测SK海力士和三星电子将分别占据英伟达HBM4供应量的70%和30%。Vera Rubin是英伟达正在开发的下一代Blackwell AI芯片，预计将成为首款采用HBM4的芯片。这一调整表明美光可能在高端存储市场面临更大竞争压力，而SK海力士与三星则进一步巩固其市场地位。

三星电子计划最早于本月第三周开始量产HBM4芯片，用于英伟达下一代人工智能计算平台Vera Rubin。此决定是在通过英伟达认证测试后，结合Vera Rubin的上市计划综合考量得出。业界预计，英伟达可能在下月的年度开发者大会（GTC）上首次展示搭载三星HBM4的相关产品。这一进展显示了三星在高性能存储领域的技术实力及与英伟达的深度合作，或为AI计算领域带来新突破。（韩联社）

2025年接近尾声，年初提出的“半导体十大技术趋势预测”迎来关键验收期。2nm工艺实现阶段性量产，台积电、三星、英特尔均取得进展，但大规模供货仍需等到2026年。SK海力士率先量产HBM4存储芯片，三星紧随其后，预计2026年放量。先进封装领域，台积电CoWoS产能显著提升，并加速布局CoPoS技术。AI处理器方面，英伟达Blackwell Ultra GB300规模化量产，谷歌TPU展现特定场景优势。国产车规芯片如地平线征程6P、黑芝麻C1200加速上车，智驾市场进入决赛阶段。量子处理器仍在探索实用化，IBM规划2029年交付大规模容错量子计算机。硅光与CPO技术推动1.6T光模块落地，RISC-V切入AI计算核心战场，8英寸SiC晶圆开始放量，驱动电动汽车与光伏应用。AI+EDA重要性凸显，新思科技DSO.ai和英伟达cuLitho大幅提升设计效率。

12月16日，三星电子与SK海力士已向英伟达交付第六代高带宽内存（HBM4）的付费最终样品。这些样品将用于英伟达下一代人工智能加速器Rubin中。目前，双方谈判进入最后阶段，仅剩质量认证这一关键步骤。业内预计，HBM4的产量和价格将在2026年第一季度确定。此次合作标志着高性能存储技术在AI领域的进一步突破。（SeDaily）

11月6日，受HBM4涨价消息推动，美股存储板块爆发，美光科技股价周三大涨近9%，盘中创下239.88美元的历史新高。韩国SK海力士透露，与英伟达完成HBM4供应谈判，单价较HBM3E高出50%以上，达到约560美元，超出市场预期。此消息提振存储行业情绪，希捷科技和闪迪涨超10%，西部数据涨超5%。美光2025财年HBM相关收入达100亿美元，第四财季单季收入接近20亿美元。多家机构上调美光目标价，花旗预测DRAM价格将创90年代以来最大季度涨幅。不过，美光HBM4面临良率与性能挑战，可能需重新设计并推迟量产，同时SK海力士与三星扩产或加剧竞争压力。

分析机构TrendForce集邦咨询9月18日表示，英伟达2026年HBM4内存供应仍由SK海力士主导，得益于其技术成熟度与产能优势。然而，若英伟达为提升Rubin GPU竞争力要求供应商提供更快的10Gbps HBM4，三星电子或因采用自家4nm FinFET工艺而受益。不过，英伟达也可能因规格升级推高成本或能耗而选择部分型号导入更高规格组件，或者延后第二阶段认证以开放更多供应商参与。

9月11日，韩国内存芯片制造商SK海力士股价创下历史新高，盘中一度涨至329500韩元，收盘涨7%至328500韩元。这一上涨源于其下一代高带宽内存HBM4即将量产的消息。HBM4带宽较上一代提升两倍，能效改善超40%，可使AI服务性能提升69%，并降低数据中心电力成本。SK海力士已向客户交付HBM4样品，计划下半年完成12层HBM4量产准备。若通过英伟达测试，其内存将被用于2026年推出的Rubin系列AI加速器。分析师预测，SK海力士的HBM市场份额到2026年或达60%。与此同时，三星电子正加紧1c DRAM产能布局，试图追赶SK海力士在HBM4领域的领先优势。

7月1日，英特尔在AI峰会上宣布正与SK海力士合作开发下一代AI加速器，计划在其代号为Jaguar Shores的Gaudi AI芯片中采用SK海力士的HBM4技术。此举将使英特尔的AI芯片规格与NVIDIA和AMD的下一代产品持平，后两者也计划于2026年推出支持HBM4的芯片。SK海力士副总裁Jung Woo-seok透露了双方在HBM集成方面的合作，但具体细节尚未最终确定。英特尔与SK海力士长期合作，有消息称英特尔可能为后者制造HBM基底芯片，但仍未确认。该合作旨在提升英特尔在AI芯片领域的竞争力。