2026年2月12日，三星电子宣布已开始大规模生产HBM4，并向客户进行商业发货。这款被描述为“顶级性能”的HBM4是三星在高端半导体领域的重要突破，主要用于驱动生成式人工智能技术。长期以来，三星在HBM市场上落后于本土竞争对手SK海力士，后者在技术和英伟达订单中占据主导地位。此次量产标志着三星在人工智能芯片竞赛中的关键进展，试图缩小与SK海力士的差距并争夺更多市场份额。

2026年2月11日，三星电子首席技术官宋载赫透露，客户对HBM4产品表示满意，公司正开发新一代增强型内存芯片zHBM，以满足人工智能领域对高性能产品的需求。zHBM核心是将HBM堆叠成3D结构，预计在物理人工智能时代的带宽和能源效率方面实现重大创新。这一进展凸显了三星在高端存储技术领域的持续领先地位，为未来AI应用提供更高效的解决方案。

三星电子计划最早于本月第三周开始量产HBM4芯片，用于英伟达下一代人工智能计算平台Vera Rubin。此决定是在通过英伟达认证测试后，结合Vera Rubin的上市计划综合考量得出。业界预计，英伟达可能在下月的年度开发者大会（GTC）上首次展示搭载三星HBM4的相关产品。这一进展显示了三星在高性能存储领域的技术实力及与英伟达的深度合作，或为AI计算领域带来新突破。（韩联社）

2月4日，韩国存储巨头三星电子市值首次突破1000万亿韩元（约6880亿美元），成为韩国首家达到此里程碑的企业。在AI热潮推动下，存储产业超级周期持续升温，三星股价继去年飙升125%后，今年已累计上涨约41%。公司预测存储芯片需求将保持强劲，并计划本季度开始交付下一代高带宽内存（HBM）芯片HBM4，进一步巩固其市场地位。这一成就凸显了三星在全球科技领域的领导力及AI相关技术的快速发展。

1月27日，三星电子中国研究院院长沈志春与韩国三星研究院总监李相斌率队调研脑机交互与人机共融海河实验室。沈志春表示，研究院计划投入脑机接口领域研究并进行技术储备，看好其产业化前景，期待与实验室深化合作。三星电子中国研究院是三星在华唯一的先行研究机构，专注于人工智能及下一代通信技术等前沿领域。此次调研体现了三星对中国科技创新导向的积极响应，或将推动脑机接口技术发展。

1月6日，市场预计三星电子将在1月8日公布的2025年第四季度初步业绩中实现营业利润同比飙升160%。这一预期得益于AI热潮引发的存储芯片严重短缺和涨价潮。作为全球最大存储芯片制造商，三星电子的业绩增长反映了行业需求旺盛及市场动态变化。分析师认为，存储芯片市场的供不应求将继续推动公司盈利能力提升，展现强劲的增长势头。

1月6日，据财联社报道，三星电子将于1月8日公布2025年第四季度初步业绩。分析师预测，受AI热潮推动，存储芯片市场需求激增并引发涨价潮，三星电子Q4营业利润有望同比飙升160%。这一增长反映了AI技术对存储芯片行业的深远影响，同时也凸显了三星在全球芯片供应中的关键地位。

12月16日，三星电子与SK海力士已向英伟达交付第六代高带宽内存（HBM4）的付费最终样品。这些样品将用于英伟达下一代人工智能加速器Rubin中。目前，双方谈判进入最后阶段，仅剩质量认证这一关键步骤。业内预计，HBM4的产量和价格将在2026年第一季度确定。此次合作标志着高性能存储技术在AI领域的进一步突破。（SeDaily）

三星电子与SK海力士计划在2026年上半年完成新一代高带宽内存HBM4E的研发。该技术将应用于包括英伟达Rubin平台顶级版本R300在内的新型人工智能加速器中。搭载HBM4E的AI加速器预计于2027年发布，为此双方正加速研发进程，并力争在2025年下半年完成质量验证。这一进展凸显了全球科技巨头在AI硬件领域的激烈竞争和技术革新步伐。(ChosunBiz)

10月14日，数据显示三星电子在第三季度重新夺回全球存储芯片市场霸主地位，销售额达194亿美元，环比增长25%。SK海力士同期销售额为175亿美元。Counterpoint Research指出，三星业绩得益于DRAM和NAND闪存需求强劲，并预测其第四季度将继续保持领先地位。此外，三星第五代12层HBM3E通过英伟达认证，成为第三家获此资格的供应商。三星初步财报显示，Q3营业利润同比增32%，达12.1万亿韩元，创三年多新高，销售额首次突破80万亿韩元。分析师称，三星HBM业务上半年虽遇挑战，但通过质量提升成功逆袭。