7月11日,SK海力士、TetraMem与南加州大学联合发布一款基于忆阻器的存内计算SoC芯片,专攻边缘AI设备。该芯片采用65nm老工艺制造,内含10个NPU,核心亮点在于能效极高:在100MHz下达到21.3 TOPS/W,比英伟达A100的INT8模式高出一个数量级。此外,团队通过双子阵列补偿技术将编程精度提升至约4 bit,实测端到端推理精度达80.36%。不过,该芯片峰值性能仅为2.54 TOPS,本质仍属概念验证。尽管性能数据不算亮眼,但其卓越的能效表现对功耗敏感的边缘AI场景具有重要探索价值。
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