7月11日，SK海力士、TetraMem与南加州大学联合发布一款基于忆阻器的存内计算SoC芯片，专攻边缘AI设备。该芯片采用65nm老工艺制造，内含10个NPU，核心亮点在于能效极高：在100MHz下达到21.3 TOPS/W，比英伟达A100的INT8模式高出一个数量级。此外，团队通过双子阵列补偿技术将编程精度提升至约4 bit，实测端到端推理精度达80.36%。不过，该芯片峰值性能仅为2.54 TOPS，本质仍属概念验证。尽管性能数据不算亮眼，但其卓越的能效表现对功耗敏感的边缘AI场景具有重要探索价值。