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2026年4月9日，SK海力士加速推进10纳米第六代（1c）DRAM技术，计划年内将超半数DRAM产能转换为1c工艺，预计年底确保约19万片产能。目前，1c DRAM良率已提升至80%，并获EUV设备投资支持，较原计划增加三倍。该技术将应用于第七代高带宽内存HBM4E核心芯片，样品计划今年交付。由于英伟达明年下半年将推出搭载HBM4E的下一代AI加速器“Vera Rubin Ultra”，SK海力士正加快研发以满足需求。
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