据ZDNet Korea报道，SK海力士正着手为亚马逊生产12层HBM3E，预计亚马逊将在今年底或明年初推出下一代AI芯片Trainium 3。新芯片在计算性能上较前代提升一倍，能效提升约40%，并配备总容量达144GB的内存，集成4个12层HBM3E。这一合作标志着高性能存储技术在AI领域的进一步突破，相关产品有望推动云计算和人工智能应用的发展。

《科创板日报》报道，三星电子在6月进行的第三次英伟达12层HBM3E芯片认证未能通过，计划于9月重新认证。HBM3E是一种高性能存储技术，广泛应用于高性能计算和AI领域。目前，美光的HBM3E良品率已超过70%，显示出其在该领域的竞争力。此次认证失败可能对三星在高端芯片市场的布局产生一定影响，未来其9月的重新认证结果值得关注。

《科创板日报》报道，三星计划在2025年7月至8月通过英伟达HBM3E品质验证。此前，三星对采用第四代10纳米级（1a）DRAM的HBM3E进行了结构调整，但因速度不达标，未能获得英伟达供货批准。业内专家表示，若三星届时无法向英伟达供应12层HBM3E，其后续HBM策略或需重大调整，甚至可能转向专注于开发第六代HBM（HBM4）。

三星电子在财报电话会议上透露，公司向英伟达供应人工智能（AI）内存芯片方面取得重大进展，有望在第四季度销售其最先进的HBM3E内存芯片。三星内存业务执行副总裁Jaejune Kim表示，公司与英伟达的资格认证过程处于关键阶段，并取得了重要进展。尽管三星芯片部门第三季度营业利润降至3.9万亿韩元，远低于上一季度的6.45万亿韩元，但三星正削减传统内存产量，加速向尖端制造工艺转型。据分析师Greg Roh预测，即使三星成为继SK海力士之后的另一家供应商，能否从英伟达获得可观市场份额仍需观望。此外，三星将今年芯片相关资本支出定为47.9万亿韩元，并计划明年下半年量产HBM4芯片。此前，三星因HBM3E芯片未通过英伟达等关键客户标准审核而面临订单流失的问题。

韩国无厂AI芯片设计公司Rebellions计划在年内发布其下一代AI NPU芯片REBEL，该芯片采用三星4nm工艺及HBM3E 12H内存，专为加速大语言模型和多模态模型设计。REBEL家族包括REBEL-Single和REBEL-Quad两款产品，分别配备一个和四个内存堆栈，其中REBEL-Quad可加速参数规模达175B+的大模型。得益于三星电子的支持，REBEL-Quad的发布时间有望提前至2025年初。Rebellions与SAPEON Korea达成合并协议，新Rebellions由Park Sung-hyun领导，估值预计超过1万亿韩元（约53.3亿元人民币）。此次合并将整合两家公司在NPU开发领域的优势，以提供更优质的解决方案。

三星电子宣布其第五代高带宽内存芯片(HBM3E)的8层版本已通过英伟达的严格测试，这标志着三星在HBM芯片供应竞赛中取得了重大突破。全球主要HBM制造商包括三星、SK海力士和美光，此前三星在HBM芯片供应方面落后于SK海力士。若能成功向英伟达供货，三星将大幅缩小与对手的差距。双方虽还未正式签约，但预计第四季度即开始供货。值得注意的是，12层HBM3E芯片仍待英伟达的测试结果。市场对HBM芯片的需求持续旺盛，尤其是在人工智能领域，英伟达等AI芯片制造商正积极应对需求激增。HBM3E芯片有望成为今年的主流产品，预计2027年市场对HBM存储芯片的需求将以每年82%的速度增长。三星预测，到第四季度，HBM3E芯片将占其HBM芯片销量的60%，显示出其在市场中的竞争力。