《科创板日报》报道，三星计划在2025年7月至8月通过英伟达HBM3E品质验证。此前，三星对采用第四代10纳米级（1a）DRAM的HBM3E进行了结构调整，但因速度不达标，未能获得英伟达供货批准。业内专家表示，若三星届时无法向英伟达供应12层HBM3E，其后续HBM策略或需重大调整，甚至可能转向专注于开发第六代HBM（HBM4）。