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《科创板日报》报道,三星计划在2025年7月至8月通过英伟达HBM3E品质验证。此前,三星对采用第四代10纳米级(1a)DRAM的HBM3E进行了结构调整,但因速度不达标,未能获得英伟达供货批准。业内专家表示,若三星届时无法向英伟达供应12层HBM3E,其后续HBM策略或需重大调整,甚至可能转向专注于开发第六代HBM(HBM4)。

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