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美光科技警告，受人工智能对HBM、DRAM及NAND需求激增影响，全球内存短缺将持续至2026年后。摩根大通报告指出，当前芯片产能受限，难以满足AI模型性能提升需求。供需失衡原因包括技术代际更迭放缓、HBM裸片尺寸增大以及DRAM制造中EUV光刻复杂性提高。美光加速推进1γ工艺节点，整合EUV技术，并计划2027年量产下一代HBM4E内存。此外，美光通过定制化固态硬盘产品优化AI负载需求，扩大市场份额。
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