美光科技警告，受人工智能对HBM、DRAM及NAND需求激增影响，全球内存短缺将持续至2026年后。摩根大通报告指出，当前芯片产能受限，难以满足AI模型性能提升需求。供需失衡原因包括技术代际更迭放缓、HBM裸片尺寸增大以及DRAM制造中EUV光刻复杂性提高。美光加速推进1γ工艺节点，整合EUV技术，并计划2027年量产下一代HBM4E内存。此外，美光通过定制化固态硬盘产品优化AI负载需求，扩大市场份额。

4月20日消息，因Agentic AI的快速增长，数据中心内存需求激增，全球DRAM制造商预计到2027年底仅能满足60%的市场需求，内存短缺和价格上涨将持续至2028年后。三星、SK海力士、美光及长江存储等厂商虽加速扩建产线，但远水难解近渴。AI工厂提前锁定DRAM供应，导致智能手机和PC端严重缺货。Counterpoint数据显示，2026至2027年DRAM年产能需增长12%才能跟上需求，但实际增速仅为7.5%。三星已停产部分传统DRAM，美光关停消费级品牌Crucial，转向高利润产品。内存价格回归正常水平预计要到2028年底。

财联社3月16日电，三星电子预计内存短缺将持续至2028年结束。当前，全球存储行业正处于人工智能需求驱动的超级周期，主要厂商如三星和SK海力士正重新评估市场供需，并采取谨慎扩张策略。三星将根据需求预测调整产能计划，避免过度扩张；SK海力士此前也表态称，在扩产方面将保持审慎态度。这一动态表明，存储行业正在平衡短期需求激增与长期市场稳定之间的关系。

3月12日讯，希捷首席商务官Ban Seng Teh警告，若氦气供应中断持续数周以上，可能迫使芯片制造商将更多产能转向人工智能存储器，从而加剧当前严重的内存短缺问题。氦气是半导体制造中的关键材料，其供应链的不稳定性或对全球芯片产业造成连锁影响。此消息凸显了科技行业在关键原材料依赖上的脆弱性，也为市场带来新的不确定性。

1月19日，美光科技公司警告称，内存芯片短缺在过去一个季度加剧，并预计供应紧张将持续至今年之后。运营执行副总裁Manish Bhatia在纽约州一个生产基地奠基仪式后表示，当前的短缺程度‘前所未见’。他指出，人工智能基础设施建设对高带宽内存的需求激增，占用了大量行业产能，导致手机、个人电脑等传统领域面临严重短缺。这一趋势凸显了AI热潮对半导体行业的深远影响，同时也暴露了供应链的脆弱性。

12月10日，由于AI产业对数据中心DRAM需求激增，全球内存制造商优先投入高利润业务，导致DRAM价格飙涨。三星、SK海力士和美光三大厂商掌控超93%市场份额，财报显示营收净利创新高。美光逐步退出消费者品牌Crucial，专注服务器内存供应；三星和SK海力士或将40%产能用于OpenAI项目。PC行业首当其冲，芝奇DDR5内存价格从124.99美元涨至389.99美元。冲击已扩散至智能手机、游戏机和笔记本领域，IDC预测2026年手机销量减少且均价上涨9美元。厂商通过提价或削减配置应对短缺，但三大制造商为维持高价不愿扩产，SK海力士预计短缺持续至2027年，IDC称价格可能在2026年保持不变或继续上涨。