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3月19日，韩国研究团队宣布成功验证突触晶体管在高辐射环境下的应用潜力。该晶体管由铟镓锌氧化物制成，能承受相当于太空20年辐射强度的考验，为下一代人工智能芯片技术带来突破。韩国科技信息通信部称，这是全球首次完成此类技术验证，表明其有望应用于太空级别AI半导体，推动极端条件下芯片技术的发展。这一成果或将改变未来太空AI芯片的研发方向，具有重要意义。
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