5月22日，美国佐治亚理工学院科学家研发出一款新型NAND闪存，抗辐射能力达传统闪存30倍，可高效处理AI任务并适应太空极端环境。该技术采用与硅工艺兼容的氧化铪材料铁电性，利用其极化特性实现信息存储和低功耗芯片应用。测试表明，这款铁电闪存可承受100万拉德辐射，相当于1亿次X射线照射，性能远超传统存储器。相关研究已发表于最新一期《纳米快报》杂志，为未来航天、人工智能等领域带来突破性进展。（科技日报）

3月19日，韩国研究团队宣布成功验证突触晶体管在高辐射环境下的应用潜力。该晶体管由铟镓锌氧化物制成，能承受相当于太空20年辐射强度的考验，为下一代人工智能芯片技术带来突破。韩国科技信息通信部称，这是全球首次完成此类技术验证，表明其有望应用于太空级别AI半导体，推动极端条件下芯片技术的发展。这一成果或将改变未来太空AI芯片的研发方向，具有重要意义。