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10月23日，AI繁荣推动存储芯片进入“超级周期”，三星电子和SK海力士计划第四季度将DRAM和NAND价格上调高达30%，高于此前预期。市场囤货情绪高涨，多家国际企业正洽谈2至3年长期供应协议。此轮涨价源于AI与高性能计算需求激增，HBM等高端产品成厂商重点布局领域。TrendForce预测，2025年HBM单价将同比上涨20.8%。尽管有观点担忧供需不平衡，但机构普遍看好存储芯片涨价趋势延续至2025年第四季度。
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