内存制造技术再创新，大厂新招数呼之欲出

2024-06-28 18:58:19

内存制造技术再创新，大厂新招数呼之欲出

智能视野

发布在

快讯

阅读：999

内存技术革新：大厂美光预测2026年将推出64GB HBMNext，采用16层32Gb DRAM堆叠。HBM4将依赖先进封装技术，如TSV，提升带宽和容量。3D DRAM被视为HBM后续，三星与SK海力士正研发，三星已展示16层3D DRAM，SK海力士5层堆叠良率达到56.1%。两大厂商计划采用混合键合技术，三星可能在2025年推出3D DRAM。然而，3D DRAM面临制造挑战，如微缩、堆叠集成难题及封装技术升级，距量产尚需时间。行业专家预测，3D DRAM将在AI服务器需求推动下，逐渐取代HBM。

原文链接

本文链接：https://kx.umi6.com/article/2318.html

转载请注明文章出处

3D DRAM