7月28日消息，据摩根士丹利最新报告透露，科技巨头谷歌正在设计一款名为Frozen V2的新一代TPU芯片，旨在彻底摆脱对台积电CoWoS封装技术的依赖。该芯片创新性地将SRAM直接集成到计算单元的硅片上，直接省去传统封装环节。此举不仅大幅降低了数据传输延迟、提升了运行速度，还将为Gemini模型量身定制，专门优化AI推理性能。尽管面临模型升级需重新设计芯片的代价，但谷歌仍积极推进。预计该芯片将于2027年进入早期生产，2028年实现量产，Marvell或成为合作伙伴。

台积电正在大幅提高其CoWoS高级封装技术的产能，目标是在2026年将其月产量从目前的36000片提高到130000片。CoWoS技术对人工智能加速器的开发至关重要，能够实现更高的性能和集成度。 台积电计划在2027年推出一种新型的“超级载体”CoWoS技术，该技术将提供高达九个光罩尺寸的中介层和1...

内存技术革新：大厂美光预测2026年将推出64GB HBMNext，采用16层32Gb DRAM堆叠。HBM4将依赖先进封装技术，如TSV，提升带宽和容量。3D DRAM被视为HBM后续，三星与SK海力士正研发，三星已展示16层3D DRAM，SK海力士5层堆叠良率达到56.1%。两大厂商计划采用混合键合技术，三星可能在2025年推出3D DRAM。然而，3D DRAM面临制造挑战，如微缩、堆叠集成难题及封装技术升级，距量产尚需时间。行业专家预测，3D DRAM将在AI服务器需求推动下，逐渐取代HBM。