复旦大学周鹏-刘春森团队近期在《自然-电子学》杂志上发表论文《二维超快闪存的规模集成工艺》，宣布已成功研发出超快闪存集成工艺。该工艺实现了20纳秒超快速编程和10年非易失性，突破了传统闪存技术的瓶颈。研究团队通过二维半导体结构，将编程速度提升了千倍以上，达到纳秒级别。此外，团队还展示了在大规模集成下的超快特性，集成工艺性能优于国际水平。实验结果显示，该工艺在1Kb存储规模下，纳秒级非易失编程速度下的良率达到98%，远超国际半导体技术路线图对闪存制造的良率要求。研究团队采用不依赖先进光刻设备的自对准工艺，成功实现了沟道长度为8纳米的超快闪存器件，突破了硅基闪存的物理尺寸极限。这一研究成果将推动超快闪存技术的产业化应用，有望加速人工智能领域的发展。

复旦大学周鹏-刘春森团队在国际上首次验证了超快闪存集成工艺，成功实现20纳秒超快编程和10年非易失特性，标志着颠覆性纳秒级超快存储闪存技术的重大突破。该成果于8月12日发表在《自然-电子学》杂志，团队开发的超界面工程技术在规模化二维闪存中实现了原子级平整度的异质界面，结合原子级精度的表征技术，验证了...