复旦大学周鹏-刘春森团队在国际上首次验证了超快闪存集成工艺，成功实现20纳秒超快编程和10年非易失特性，标志着颠覆性纳秒级超快存储闪存技术的重大突破。该成果于8月12日发表在《自然-电子学》杂志，团队开发的超界面工程技术在规模化二维闪存中实现了原子级平整度的异质界面，结合原子级精度的表征技术，验证了集成工艺优于国际水平。在1Kb存储规模中，纳秒级非易失编程速度下良率达到98.4%，远超国际半导体技术路线图对闪存制造的良率要求。此外，研究团队还研发了不依赖先进光刻设备的自对准工艺，成功实现了沟道长度为8纳米的超快闪存器件，突破了硅基闪存物理尺寸极限。这一超小尺寸器件具备20纳秒超快编程、10年非易失、十万次循环寿命和多态存储性能，有望推动超快颠覆性闪存技术产业化。研究工作得到多个国家级和地方级项目的资助，由刘春森研究员和周鹏教授作为通讯作者，刘春森研究员和博士生江勇波、曹振远为论文第一作者。