复旦大学周鹏-刘春森团队近期在《自然-电子学》杂志上发表论文《二维超快闪存的规模集成工艺》，宣布已成功研发出超快闪存集成工艺。该工艺实现了20纳秒超快速编程和10年非易失性，突破了传统闪存技术的瓶颈。研究团队通过二维半导体结构，将编程速度提升了千倍以上，达到纳秒级别。此外，团队还展示了在大规模集成下的超快特性，集成工艺性能优于国际水平。实验结果显示，该工艺在1Kb存储规模下，纳秒级非易失编程速度下的良率达到98%，远超国际半导体技术路线图对闪存制造的良率要求。研究团队采用不依赖先进光刻设备的自对准工艺，成功实现了沟道长度为8纳米的超快闪存器件，突破了硅基闪存的物理尺寸极限。这一研究成果将推动超快闪存技术的产业化应用，有望加速人工智能领域的发展。