北京大学团队研发出全球首款二维GAAFET晶体管，以铋材料突破接触电阻量子极限，开启后摩尔时代。该成果在《自然》发表，性能超越国际巨头。二维堆叠技术让中国半导体站上1纳米制程竞争前沿。 近年来，摩尔定律失效，GAAFET架构推动芯片工艺发展。GAAFET基于纳米线通道设计，栅极完全包围通道，控制力更强。三星已用GAAFET技术推出3nm工艺，性能提升23%，功耗降低45%。 相较FinFET，GAAFET在栅极控制、功耗、频率、面积等方面更具优势。其低功耗特性利于热管理和电子迁移，展现优异可扩展性。但GAAFET研发门槛高，目前仅台积电与三星具备量产能力。 后摩尔时代，AI芯片发展注重效率与性能平衡。除通用CPU外，专用处理器、硬件集成算法等新设计范式兴起。光子计算、量子计算等新技术为AI芯片开辟新路径，但仍需解决制造复杂性和成本问题。

美国拜登政府正考虑进一步限制中国获取人工智能芯片技术，特别是针对全环栅极晶体管（GAA）和高带宽内存（HBM）。GAA技术有望提升性能和效率，但目前仅在高端市场应用。知情人士透露，此举旨在阻碍中国AI发展，尽管中国已有7nm制程产能。中国虽面临出口管制，但仍寻求利用现有技术升级。全球半导体竞争激烈，中国科学院大学等研究团队取得突破，提出基于界面耦合的新方法，打破硅基电路限制。在芯片制造领域，中国正加速追赶，国产化进程不断推进，挑战与机遇并存。

美国政府正计划对中国实施新出口限制，目标瞄准用于AI的尖端芯片技术——全环绕栅极(GAA)。此举旨在遏制中国在AI领域的快速进步，限制关键技术获取。虽然未公布具体措施和时间表，但焦点在于关键技术的研发阶段，而非完全禁止芯片出口。这一消息促使股市波动，如英伟达股价下挫2.5%，AMD跌1.9%，英特尔受影响较小。此事显示在6月12日的科技动态中。