北京大学团队研发出全球首款二维GAAFET晶体管，以铋材料突破接触电阻量子极限，开启后摩尔时代。该成果在《自然》发表，性能超越国际巨头。二维堆叠技术让中国半导体站上1纳米制程竞争前沿。

近年来，摩尔定律失效，GAAFET架构推动芯片工艺发展。GAAFET基于纳米线通道设计，栅极完全包围通道，控制力更强。三星已用GAAFET技术推出3nm工艺，性能提升23%，功耗降低45%。

相较FinFET，GAAFET在栅极控制、功耗、频率、面积等方面更具优势。其低功耗特性利于热管理和电子迁移，展现优异可扩展性。但GAAFET研发门槛高，目前仅台积电与三星具备量产能力。

后摩尔时代，AI芯片发展注重效率与性能平衡。除通用CPU外，专用处理器、硬件集成算法等新设计范式兴起。光子计算、量子计算等新技术为AI芯片开辟新路径，但仍需解决制造复杂性和成本问题。