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北京大学团队研发出全球首款二维GAAFET晶体管,以铋材料突破接触电阻量子极限,开启后摩尔时代。该成果在《自然》发表,性能超越国际巨头。二维堆叠技术让中国半导体站上1纳米制程竞争前沿。

近年来,摩尔定律失效,GAAFET架构推动芯片工艺发展。GAAFET基于纳米线通道设计,栅极完全包围通道,控制力更强。三星已用GAAFET技术推出3nm工艺,性能提升23%,功耗降低45%。

相较FinFET,GAAFET在栅极控制、功耗、频率、面积等方面更具优势。其低功耗特性利于热管理和电子迁移,展现优异可扩展性。但GAAFET研发门槛高,目前仅台积电与三星具备量产能力。

后摩尔时代,AI芯片发展注重效率与性能平衡。除通用CPU外,专用处理器、硬件集成算法等新设计范式兴起。光子计算、量子计算等新技术为AI芯片开辟新路径,但仍需解决制造复杂性和成本问题。

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