摩根大通最新研究报告指出，高带宽存储器(HBM)市场自2023年起进入第四年上升周期，预计增长将持续至2027年。报告强调，人工智能(AI)和高性能计算(HPC)需求激增推动HBM技术重要性提升，其在AI资本支出与收入中的占比不断攀升，成为存储行业增长的核心驱动力。此外，HBM结构性短缺可能延续至2028年，进一步凸显其长期供需紧张态势。该研究聚焦亚太地区存储行业，揭示了HBM在未来数年的关键市场地位。

1月17日，被称为“HBM之父”的韩国KAIST学者Kim Jung-Ho在论坛研讨会上预测，HBF高带宽闪存的商业化进程将比HBM更快。他指出，存储厂商在HBM开发中积累了技术经验，同时AI发展推动了对更大容量存储的需求。目前，SK海力士、三星电子和闪迪正合作推进HBF标准化，预计其带宽将超1638GB/s，容量达512GB。SK海力士计划本月展示HBF早期版本，而三星与闪迪目标是在2027年底至2028年初将其应用于英伟达、AMD等公司的AI XPU。HBF的大规模应用预计将在HBM6发布后实现，Kim Jung-Ho比喻HBM与HBF的关系为书房与图书馆，强调两者在容量和延迟上的差异，并呼吁软件优化以减少HBF写入次数。

在2026年CES展会期间，英伟达CEO黄仁勋针对‘是否用SRAM取代HBM’的行业热点发表看法。他承认SRAM在特定任务中速度极快，但指出其容量瓶颈使其难以满足现代AI模型需求，仅能支持HBM系统百分之一的模型规模。黄仁勋强调，AI工作负载多样化且不可预测，专用硬件如纯SRAM方案易因任务变化导致资源闲置。相比之下，HBM虽成本高，却能灵活适应算法和模型架构的变化，确保硬件长期高效利用。他还表示，开放模型整合更多上下文和模态后，内存需求同样激增，因此英伟达坚持HBM路线以保留‘可选性’，应对快速迭代的AI技术挑战。

1月6日，SK海力士宣布在CES 2026期间，于美国拉斯维加斯威尼斯人会展中心设立专属展馆，展示面向AI的下一代存储器解决方案。展会首日，公司首次推出下一代HBM产品“16层48GB HBM4”，并同步展出12层36GB HBM3E及搭载该产品的全球客户AI服务器GPU模块。此外，SK海力士还将展示低功耗内存模组SOCAMM2，专为AI服务器设计。本次展会将持续至1月9日，全面呈现公司在高性能存储领域的最新成果。

2025年接近尾声，年初提出的“半导体十大技术趋势预测”迎来关键验收期。2nm工艺实现阶段性量产，台积电、三星、英特尔均取得进展，但大规模供货仍需等到2026年。SK海力士率先量产HBM4存储芯片，三星紧随其后，预计2026年放量。先进封装领域，台积电CoWoS产能显著提升，并加速布局CoPoS技术。AI处理器方面，英伟达Blackwell Ultra GB300规模化量产，谷歌TPU展现特定场景优势。国产车规芯片如地平线征程6P、黑芝麻C1200加速上车，智驾市场进入决赛阶段。量子处理器仍在探索实用化，IBM规划2029年交付大规模容错量子计算机。硅光与CPO技术推动1.6T光模块落地，RISC-V切入AI计算核心战场，8英寸SiC晶圆开始放量，驱动电动汽车与光伏应用。AI+EDA重要性凸显，新思科技DSO.ai和英伟达cuLitho大幅提升设计效率。

12月16日，三星电子与SK海力士已向英伟达交付第六代高带宽内存（HBM4）的付费最终样品。这些样品将用于英伟达下一代人工智能加速器Rubin中。目前，双方谈判进入最后阶段，仅剩质量认证这一关键步骤。业内预计，HBM4的产量和价格将在2026年第一季度确定。此次合作标志着高性能存储技术在AI领域的进一步突破。（SeDaily）

在AI算力需求推动下，高带宽存储器（HBM）成为存储领域的核心突破口，其制造工艺复杂，对半导体设备要求严苛。2025年四季度以来，全球存储市场持续上涨，HBM市场规模飙升，预计到2030年年复合增长率达33%。国产半导体设备商抓住机遇，在刻蚀、沉积、键合、检测等关键环节实现突破，如盛美上海、北方华创、拓荆科技等企业推出多款适配HBM工艺的设备。尽管国产化率不足5%，但国内企业已构建起覆盖HBM全产业链的设备供给能力，加速国产HBM芯片产业化进程。未来，政策、产业和技术协同发力，国产设备商将持续缩小国际差距，助力我国半导体产业升级突围。

JEDEC固态技术协会于12月11日宣布接近完成SPHBM4内存规范。SPHBM4采用与标准HBM4相同的DRAM核心层，但接口基础裸片设计不同，可安装在有机基板上，而非硅基板。相比标准HBM4的2048个I/O引脚，SPHBM4仅需512个，并通过更高的工作频率和4:1串行化技术实现相当的数据传输速率。这一设计适应有机基板较低的凸点间距密度，同时允许更长线径，提升单一封装中集成的堆栈数量，从而增加系统内存总容量。此规范有望推动高容量内存应用发展。

12月10日消息，内存条价格涨幅超100%，超越金条成为热门“理财产品”。威刚董事长称内存全面缺货，局面罕见。存储芯片自去年减产后库存见底，涨价早有预兆。AI推动高级形态HBM（高带宽内存）需求激增，其带宽远超普通内存和显卡。英伟达等巨头疯狂扫货，OpenAI等项目紧盯供应动态。涨价影响波及手机、电脑、汽车等领域，消费级显卡或涨20%-30%，智能手机存储成本占比升至18%-25%，PC厂商库存仅够两个月，2026年可能断供。L3级自动驾驶存储成本占比升至25%。预计涨价潮将持续至2027年新产能释放。

11月24日，台积电参股的创意电子GUC宣布，参与设计的VSORA Jotunn8芯片成功流片，这是欧洲首款配备HBM内存的数据中心推理处理器。该芯片基于台积电5nm制程和CoWoS封装技术，专为AI推理优化，突破内存墙瓶颈，在FP8精度下算力达3200TFLOPS，配备288GB HBM3E内存，功耗仅为市场领先芯片的一半。创意电子提供全流程设计服务，并集成其GLink-2.5D互联IP及HBM3E PHY与控制器。VSORA计划于2026年初推出Jotunn8开发板、参考设计及服务器方案。