2025年7月，半导体行业先进封装技术竞争加剧。台积电推出CoPoS技术，计划2028-2029年量产，并为苹果A20系列准备WMCM封装工艺。英特尔升级EMIB-T技术，优化电源传输与数据通信，同时研发散热创新技术应对高性能芯片需求。联电加码W2W 3D IC封装，夺得高通HPC产品大单。三星推出SAINT技术体系，建设HBM封装工厂和日本APL实验室。AI与HBM内存需求推动封装技术向3D堆叠发展，各大厂商积极布局以满足AI市场对高性能、低功耗芯片的需求。

7月1日，英特尔在AI峰会上宣布正与SK海力士合作开发下一代AI加速器，计划在其代号为Jaguar Shores的Gaudi AI芯片中采用SK海力士的HBM4技术。此举将使英特尔的AI芯片规格与NVIDIA和AMD的下一代产品持平，后两者也计划于2026年推出支持HBM4的芯片。SK海力士副总裁Jung Woo-seok透露了双方在HBM集成方面的合作，但具体细节尚未最终确定。英特尔与SK海力士长期合作，有消息称英特尔可能为后者制造HBM基底芯片，但仍未确认。该合作旨在提升英特尔在AI芯片领域的竞争力。

据《科创板日报》1日报道，SK海力士表示正在与英特尔合作，开发大带宽、大容量内存技术，并有望向英特尔即将推出的Jaguar Shores AI显卡加速器供应HBM4内存。此次合作标志着双方在AI芯片领域的深度协同，进一步推动高性能计算的发展。

据ZDNet Korea报道，SK海力士正着手为亚马逊生产12层HBM3E，预计亚马逊将在今年底或明年初推出下一代AI芯片Trainium 3。新芯片在计算性能上较前代提升一倍，能效提升约40%，并配备总容量达144GB的内存，集成4个12层HBM3E。这一合作标志着高性能存储技术在AI领域的进一步突破，相关产品有望推动云计算和人工智能应用的发展。

6月17日，韩国SK海力士股价盘中创上市20多年新高。这得益于SK集团计划与AWS合作，在蔚山建设韩国最大的AI数据中心，目标电力容量103兆瓦，部署多达6颗GPU，助力韩国AI发展。SK海力士作为全球HBM芯片龙头，一季度HBM收入份额达70%，带动其全球DRAM市场份额超越三星。同时，SK海力士2025年HBM产能已售罄，并完成HBM4样品开发，计划下半年量产。受此影响，SK海力士周一涨5.31%，周二续涨；而三星电子因HBM竞争劣势，年内涨幅仅约10%。

6月16日消息，韩国KAIST和TB级互联与封装实验室共同预测了未来十年AI GPU加速卡的发展趋势。当前最先进的HBM3E已实现最大288GB，而即将推出的HBM4预计可达384GB至432GB。未来HBM5可能达到400-500GB，HBM6达1.5-1.9TB，HBM7更将突破5-6TB。NVIDIA Rubin系列预计明年推出，单卡功耗达2200W；到2029年的Feyman系列，功耗将升至4400W。若按此趋势发展，2035年新一代GPU功耗或超15000W。如此高的功耗引发担忧，数据中心能源需求或将大幅增加。

《科创板日报》报道，三星电子在6月进行的第三次英伟达12层HBM3E芯片认证未能通过，计划于9月重新认证。HBM3E是一种高性能存储技术，广泛应用于高性能计算和AI领域。目前，美光的HBM3E良品率已超过70%，显示出其在该领域的竞争力。此次认证失败可能对三星在高端芯片市场的布局产生一定影响，未来其9月的重新认证结果值得关注。

《科创板日报》报道，三星计划在2025年7月至8月通过英伟达HBM3E品质验证。此前，三星对采用第四代10纳米级（1a）DRAM的HBM3E进行了结构调整，但因速度不达标，未能获得英伟达供货批准。业内专家表示，若三星届时无法向英伟达供应12层HBM3E，其后续HBM策略或需重大调整，甚至可能转向专注于开发第六代HBM（HBM4）。

5月22日，据TrendForce集邦咨询报道，受AI服务器需求推动，HBM4技术成为行业焦点，三星、SK海力士和美光等三大存储原厂正加速推进HBM4产品研发。HBM4通过增加I/O数量及优化芯片设计提升性能，但这也导致晶圆面积扩大并提升了制造复杂度。此外，部分厂商采用逻辑芯片架构进一步提高性能，这些因素共同推高了生产成本。参考HBM3e刚推出时约20%的溢价比例，预计HBM4的溢价幅度将超过30%。

4月22日消息，三星电子计划于2025年4月停止1z制程8Gb LPDDR4存储器生产，要求客户在6月前完成订单，预计10月前出货完毕。此举或因国内手机LPDDR4订单转向本土工厂，三星将专注LPDDR5及以上高端产品。三星半导体回应称不评论业界传言，生产正常进行。2024年全球DRAM和NAND闪...