11月24日，台积电参股的创意电子GUC宣布，参与设计的VSORA Jotunn8芯片成功流片，这是欧洲首款配备HBM内存的数据中心推理处理器。该芯片基于台积电5nm制程和CoWoS封装技术，专为AI推理优化，突破内存墙瓶颈，在FP8精度下算力达3200TFLOPS，配备288GB HBM3E内存，功耗仅为市场领先芯片的一半。创意电子提供全流程设计服务，并集成其GLink-2.5D互联IP及HBM3E PHY与控制器。VSORA计划于2026年初推出Jotunn8开发板、参考设计及服务器方案。

11月21日，中科曙光存储事业部副总裁张新凤在2025数据存储产业大会期间表示，AI对HBM需求激增引发存储产业洗牌，存储介质价格上涨50%-200%，给产业带来不确定性。中科曙光接棒华为出任中国电子工业标准化技术协会数据存储专委会当值会长，将牵头制定AI存储标准，并联合成立Future Storage工作组，聚焦大模型训练与推理存储优化。张新凤称，未来一年将围绕存储产业政策、应用领域提升、生态建设及标准制定展开工作。曙光存储总裁何振表示，中国存储性能、成本及能效已赶超国外同类产品，未来将借助AI发展机遇提升国际话语权。目前，曙光存储连续两年占据国内AI存储市场份额第一，并与智元机器人合作树立行业标杆。

三星电子与SK海力士计划在2026年上半年完成新一代高带宽内存HBM4E的研发。该技术将应用于包括英伟达Rubin平台顶级版本R300在内的新型人工智能加速器中。搭载HBM4E的AI加速器预计于2027年发布，为此双方正加速研发进程，并力争在2025年下半年完成质量验证。这一进展凸显了全球科技巨头在AI硬件领域的激烈竞争和技术革新步伐。(ChosunBiz)

2026年，AMD将推出Instinct MI450系列AI加速卡，包括面向AI训练的MI455X和高性能计算的MI430X两款型号。该系列采用下一代CDNA 5架构、2nm工艺及3.5D封装技术，配备432GB HBM4内存，纵向带宽达3.6TB/s，横向带宽300GB/s。FP8性能峰值为20PFlops，新FP4格式下可达40PFlops。AMD称，其内存容量与纵向带宽较NVIDIA Rubin领先50%，其他关键性能指标也处于同一水平。若AMD进一步优化ROCm平台生态，将对NVIDIA形成强大竞争压力，为行业提供更多选择。

11月6日，受HBM4涨价消息推动，美股存储板块爆发，美光科技股价周三大涨近9%，盘中创下239.88美元的历史新高。韩国SK海力士透露，与英伟达完成HBM4供应谈判，单价较HBM3E高出50%以上，达到约560美元，超出市场预期。此消息提振存储行业情绪，希捷科技和闪迪涨超10%，西部数据涨超5%。美光2025财年HBM相关收入达100亿美元，第四财季单季收入接近20亿美元。多家机构上调美光目标价，花旗预测DRAM价格将创90年代以来最大季度涨幅。不过，美光HBM4面临良率与性能挑战，可能需重新设计并推迟量产，同时SK海力士与三星扩产或加剧竞争压力。

11月4日，SK海力士在韩国首尔举行的AI峰会上公布了未来存储技术路线图。根据规划，2026~2028年将推出16层堆叠的HBM4内存、LPDDR5R和LPDDR6等DRAM产品，以及PCIe Gen6固态硬盘和UFS 6.0存储方案。2029~2031年，公司将进入HBM5 (E)时代，同时发布DDR6、GDDR下一代产品、3D DRAM，以及400+层堆叠NAND和PCIe Gen7 SSD。此外，SK海力士计划通过定制化HBM解决方案，将控制器等功能集成到HBM基础裸片中，提升计算效率并降低能耗。公司还提出AI时代DRAM三大发展方向：低功耗高性能的AI-D O、集成计算能力的AI-D B，以及扩展应用领域的AI-D E。

2025年11月3日，SK海力士宣布正在研发包括HBM、AI-DRAM和AI-NAND在内的新型存储产品，并公布内存产品发展路径图。为推动技术进步，SK海力士深化与多家科技巨头的合作：与英伟达携手推进AI制造技术，与台积电共同开发下一代HBM基片，同时与闪迪合作促进高带宽闪存（HBF）市场的国际标准化。这一系列动作表明SK海力士正积极布局AI存储领域，强化其在全球市场的竞争力。

TrendForce集邦咨询10月30日发布AI服务器产业洞察，预估2026年AI服务器出货量同比增幅达20.9%，占整体服务器出货比例17.2%；产值同比增长超30%，营收占比达74%。对于2025年，受英伟达B300进度延迟等影响，AI服务器出货量略低于预期，但仍实现24.1%增长，产值增幅近48%。此外，2025年HBM内存需求量同比激增130+%，HBM3E单价一年内上涨5~10%；2026年HBM需求将在高基数上再增70+%。

10月29日，SK海力士发布Q3财报，营收24.45万亿韩元（同比增长39%），营业利润11.38万亿韩元（同比增长62%），均创历史新高，但略低于分析师预期。公司表示，AI基础设施投资推动高附加值产品（如12层HBM3E和DDR5）需求激增，带动业绩增长。SK海力士透露，HBM4已完成开发并投入量产，Q4开始出货，计划明年全面扩销。此外，公司已与主要客户完成明年HBM供应洽谈。目前，SK海力士在全球HBM市场占据62%份额，领先美光和三星。CFO金宇铉称，AI热潮正扩散至更广泛芯片领域，公司将通过领先技术巩固市场地位。

2025年9月24日消息，最新数据显示，三星电子在Q2全球高带宽内存（HBM）芯片市场份额下滑至17%，排名第三，美光科技以21%升至第二。SK海力士以62%稳居第一。HBM是AI应用核心部件，需求迅猛增长。分析师预计，随着下一代HBM4进入英伟达供应链，三星明年市占率将超30%。三星的第五代HBM3E已通过英伟达认证，并计划本月大量出货HBM4样品。SK海力士已完成HBM4开发并建立量产体系，有望纳入英伟达下一代GPU。韩国厂商合计市占率近80%，主导市场，且将在晚些时候推出HBM4芯片巩固地位。研究机构提醒，需警惕美光及中国厂商的竞争。