2025年9月24日消息，最新数据显示，三星电子在Q2全球高带宽内存（HBM）芯片市场份额下滑至17%，排名第三，美光科技以21%升至第二。SK海力士以62%稳居第一。HBM是AI应用核心部件，需求迅猛增长。分析师预计，随着下一代HBM4进入英伟达供应链，三星明年市占率将超30%。三星的第五代HBM3E已通过英伟达认证，并计划本月大量出货HBM4样品。SK海力士已完成HBM4开发并建立量产体系，有望纳入英伟达下一代GPU。韩国厂商合计市占率近80%，主导市场，且将在晚些时候推出HBM4芯片巩固地位。研究机构提醒，需警惕美光及中国厂商的竞争。

2025年9月24日，美光科技发布2025财年第四季度财报，营收113.2亿美元，同比增长46%，超市场预期。公司预计2026财年第一财季营收122亿至128亿美元，毛利率达50.5%-52.5%。CEO Sanjay Mehrotra指出，DRAM和NAND库存紧张，HBM需求显著增长，预计2026年HBM出货量增速将超整体DRAM，成为核心增长驱动力。美光计划2026年第二季度量产HBM4，性能领先行业。此外，AI推动数据中心、智能手机和PC对存储的需求，供应紧张局面将持续至2026年。公司资本支出预计达180亿美元，主要用于DRAM相关产能扩展。

9月22日，三星电子股价大涨5%，创下一年新高，因12层HBM3E芯片通过英伟达认证测试，标志着其在AI芯片领域取得重要突破。这是三星多次尝试后首次满足英伟达超10Gbps传输速度要求。三星计划初期有限供应该芯片，此前已向AMD和博通供货。竞争对手SK海力士仍处领先地位，已完成HBM4开发并推动股价创新高，而美光科技上周五下跌3.5%。分析师指出，三星的进展可能影响HBM市场定价，尤其是若以低价策略抢占市场份额。

9月20日，中原证券研报指出，国内算力芯片领域迎来重要进展。阿里与华为相继发布算力成果，释放积极信号。相比年初DeepSeek-R1发布时的情况，中国不仅在AI模型层面对标海外厂商，还通过集群计算弥补了芯片差距，在超节点和集群层面实现全球领先，并突破HBM自主与互联技术。这一进展为中国AI与算力产业的长期发展注入信心。研报看好行业市场表现，建议关注EDA企业华大九天、拥有大规模智算中心交付计划的润泽科技，以及在低空经济和商业航空领域布局的中科星图。

分析机构TrendForce集邦咨询9月18日表示，英伟达2026年HBM4内存供应仍由SK海力士主导，得益于其技术成熟度与产能优势。然而，若英伟达为提升Rubin GPU竞争力要求供应商提供更快的10Gbps HBM4，三星电子或因采用自家4nm FinFET工艺而受益。不过，英伟达也可能因规格升级推高成本或能耗而选择部分型号导入更高规格组件，或者延后第二阶段认证以开放更多供应商参与。

2025年9月14日，SK海力士宣布率先完成全球首款HBM4内存研发，并已准备好大规模量产。该内存采用2048-bit I/O接口位宽，单针脚带宽达10Gbps，单颗带宽高达2.5TB/s，超出JEDEC标准的8Gbps，可为AI设备带来最多69%性能提升。SK海力士使用自研MR-MUF封装技术和1bnm工艺（第五代10nm级），但堆叠层数和单颗容量尚未披露，预计最高支持12层堆叠。HBM4将成为下一代AI基础设施关键组件，NVIDIA Rubin预计将搭载288GB HBM4，而AMD Instinct MI400系列最高可达432GB，带宽19.6TB/s。三星也在积极推进HBM4，试图与SK海力士竞争。

9月11日，韩国内存芯片制造商SK海力士股价创下历史新高，盘中一度涨至329500韩元，收盘涨7%至328500韩元。这一上涨源于其下一代高带宽内存HBM4即将量产的消息。HBM4带宽较上一代提升两倍，能效改善超40%，可使AI服务性能提升69%，并降低数据中心电力成本。SK海力士已向客户交付HBM4样品，计划下半年完成12层HBM4量产准备。若通过英伟达测试，其内存将被用于2026年推出的Rubin系列AI加速器。分析师预测，SK海力士的HBM市场份额到2026年或达60%。与此同时，三星电子正加紧1c DRAM产能布局，试图追赶SK海力士在HBM4领域的领先优势。

财联社9月5日讯，SK海力士在2023年第二季度蝉联全球DRAM市场占有率第一，份额从第一季度的36.9%升至39.5%，连续两个季度超越三星电子。得益于DRAM合约价格上涨和HBM出货量增加，SK海力士销售额达122.26亿美元，领先三星电子超19亿美元。三星电子市占率从34.4%降至33.3%，与SK海力士差距扩大至6.2个百分点。SK海力士占据全球HBM市场超50%份额，主要客户包括英伟达等科技巨头，预计今年营业利润将达30万亿-33万亿韩元。

2025年8月，HBM（高带宽存储芯片）技术成为AI算力竞争的核心。中国加速HBM国产替代，从原预计与全球领先水平相差8年缩短至4年左右。长鑫存储已量产HBM2，计划年底完成HBM3验证，并于2027年量产HBM3E。与此同时，SK海力士、三星和美光正迈向HBM4，英伟达则开始自行设计HBM基础裸片，预计2027年量产，推动定制化与架构融合创新。中国厂商在技术上快速追赶，但仍面临设备国产化率低等挑战。此外，英伟达布局HBM5时代，提交了“存储近计算”专利，预计2029年推出。随着AI模型对存储需求激增，HBM的突破将决定未来AI芯片领域的竞争格局。

8月11日，SK海力士高管预测，到2030年，AI用HBM芯片市场将以每年30%的速度增长，规模达数百亿美元。HBM业务规划主管Choi Joon-yong表示，亚马逊、微软等云服务商的数十亿美元AI支出推动需求，且未来可能进一步上升。他强调AI建设与HBM购买间存在直接关联，SK海力士的预测已考虑能源等限制因素。此外，存储行业正经历战略变化，下一代HBM4技术将支持客户定制化需求，而主要竞争对手三星则警告短期内HBM3E可能供过于求，或对价格造成压力。SK海力士对其竞争力保持信心。