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4月15日讯，三星电子第六代高带宽内存（HBM4）的良率目前仍低于60%，公司计划在2026年下半年将良率提升至接近完工水平，以更好满足包括英伟达在内的主要人工智能客户需求。与此同时，三星电子的1c DRAM良率已超过80%，达到行业公认的“成熟良率”标准。这一进展显示了三星在DRAM技术领域的持续优化能力，同时也凸显HBM4生产仍面临挑战。（ChosunBiz）
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