SK海力士在NAND和DRAM领域长期落后于三星，但近期因HBM技术的成功，其半导体业务首次实现年度营业利润领先。目前，SK海力士在全球NAND市场的份额从2020年的11.7%增长到2024年第二季度的22.5%，有望首次超过20%。

SK海力士最近量产了321层TLC NAND闪存，成为首家实现这一技术的公司，显著提升了存储密度。与238层NAND相比，321层芯片的数据传输速度提高了12%，读取速度提高了13%，能效提高了10%以上。SK海力士计划扩大其在AI应用中的使用，目标是成为综合AI内存提供商。

三星也在积极研发，计划推出400层以上的3D NAND，采用三层堆栈架构，速度提高75%。三星还计划在2027年推出V11 NAND，数据输入和输出速度提升50%，并推出SSD订阅服务。

其他厂商如美光和铠侠也在跟进，美光计划使用双堆叠技术，铠侠目标是2027年实现1000层NAND。NAND Flash的竞争愈发激烈，未来几年将进入400层和1000层的新阶段。