北京大学团队研发出全球首款二维GAAFET晶体管，以铋材料突破接触电阻量子极限，开启后摩尔时代。该成果在《自然》发表，性能超越国际巨头。二维堆叠技术让中国半导体站上1纳米制程竞争前沿。 近年来，摩尔定律失效，GAAFET架构推动芯片工艺发展。GAAFET基于纳米线通道设计，栅极完全包围通道，控制力更强。三星已用GAAFET技术推出3nm工艺，性能提升23%，功耗降低45%。 相较FinFET，GAAFET在栅极控制、功耗、频率、面积等方面更具优势。其低功耗特性利于热管理和电子迁移，展现优异可扩展性。但GAAFET研发门槛高，目前仅台积电与三星具备量产能力。 后摩尔时代，AI芯片发展注重效率与性能平衡。除通用CPU外，专用处理器、硬件集成算法等新设计范式兴起。光子计算、量子计算等新技术为AI芯片开辟新路径，但仍需解决制造复杂性和成本问题。

【中信证券报告】先进封装技术成“后摩尔时代”关键路径，AI底层驱动新趋势。财联社8月26日发布，中信证券指出，先进封装技术正崛起为AI底层驱动技术的重要一环，且成为当前产能瓶颈的关键因素。全球范围内，海外前道厂商在这一领域占据主导地位，而封测厂商紧随其后。中国企业在这一领域亦有积极布局，展现出追赶之势。先进封装技术被视作“后摩尔时代”超越摩尔定律的重要路径，其对于推动计算能力提升、实现更高效能芯片具有重要意义。对此，报告建议投资者关注在先进封装技术上有所布局的制造企业、封测企业以及相关的供应链设备厂商。此报告揭示了科技行业的最新动态与投资机遇，对寻求未来增长点的投资者具有指导意义。