当地时间10月17日，英伟达创始人黄仁勋到访台积电位于美国亚利桑那州凤凰城的工厂，共同庆祝首片Blackwell晶圆在美国本土量产下线。Blackwell是英伟达最先进的AI芯片，采用台积电4NP工艺，拥有2080亿个晶体管，性能较前代Hopper提升显著。该芯片于2024年3月首次发布，同年四季度确认量产，预计2025年推出增强版Blackwell Ultra。台积电凤凰城基地（Fab 21）计划分三阶段建设，总投资约650亿美元，未来将生产2nm、3nm等先进制程芯片，为AI和高性能计算提供支持。黄仁勋表示，Blackwell在推理模型中的表现是Hopper的40倍，全球云服务提供商已采购360万片Blackwell芯片。

UBS分析师Timothy Arcuri团队预测，英伟达首批Blackwell芯片可能延迟4至6周发货，预计最早发货时间为2025年1月底。同时，许多客户正转向购买交货时间更短的H200芯片。据估计，首批Blackwell产品将于2025年4月开始使用。台积电已启动Blackwell芯片的生产，但因B100和B200所用的CoWoS-L封装技术较为复杂，导致初期产量低于预期，良率也面临挑战。相比之下，H100和H200采用了CoWoS-S技术。这一消息凸显了英伟达在推出新芯片时面临的供应链挑战及其对市场策略的影响。