5月22日，美国佐治亚理工学院科学家研发出一款新型NAND闪存，抗辐射能力达传统闪存30倍，可高效处理AI任务并适应太空极端环境。该技术采用与硅工艺兼容的氧化铪材料铁电性，利用其极化特性实现信息存储和低功耗芯片应用。测试表明，这款铁电闪存可承受100万拉德辐射，相当于1亿次X射线照射，性能远超传统存储器。相关研究已发表于最新一期《纳米快报》杂志，为未来航天、人工智能等领域带来突破性进展。（科技日报）