综合
7*24 快讯
AI科普
合作
全部
英雄令
项目方
开发者
产品方
投资者
科技咨询公司Greyhound Research CEO Sanchit Vir Gogia警告,存储芯片短缺已从组件级问题升级为宏观经济风险。AI基础设施建设需求与供应链能力的矛盾加剧,可能导致基于AI的生产力增长放缓,并推迟数千亿美元数字基建项目。此问题或在各国应对通胀和美国关税背景下,带来新的通胀压力。这一趋势凸显了存储芯片在全球经济中的关键作用,亟需解决以避免更大范围的经济影响。(信息截至3日)
原文链接
11月28日,据财联社报道,受全球AI算力需求激增影响,DRAM市场供不应求,存储芯片价格快速上涨。其中,512GB存储产品较上月涨价近500元,手机终端市场面临较大成本压力,部分厂商已暂停采购存储芯片。业内预计,手机产品或将迎来一波涨价潮,进一步影响消费者市场。(36氪)
原文链接
11月28日,外媒报道因人工智能基础设施需求激增,全球存储芯片短缺加剧。美国戴尔公司首席运营官表示,成本上涨速度前所未有,部分存储芯片短缺可能促使产品涨价。惠普首席执行官也警告,芯片库存或将耗尽,预计到2026年下半年利润率承压,并可能提高产品价格。研究机构预测,受短缺影响,存储芯片价格在2026年第二季度前或再涨50%。 (央视财经)
原文链接
11月26日,受谷歌Gemini 3.0、阿里千问等AI大模型应用爆发推动,全球投资者对AI信心回升,存储芯片需求激增。业内反映,存储芯片市场现涨价缺货潮,NAND、NOR及DDR5等产品价格持续攀升,预计高景气度将延续至明年年中。国际存储厂商不断调价,国内厂商亦跟进涨价,行业前景乐观。
原文链接
2025年下半年以来,全球存储芯片行业迎来罕见普涨行情,进入四季度涨势加剧。主流DDR5规格16Gb颗粒单月涨幅达102%,三星服务器内存芯片合约价上调30%-60%。AI算力需求爆发叠加供给缩减,HBM、DDR5等高端存储需求激增,传统DRAM供应紧张,价格倒挂。涨价潮蔓延至GPU、SoC、被动元件等全产业链,英伟达、AMD显卡价格涨幅达20%-30%,风华高科被动元件调价5%-30%。手机厂商因成本压力暂缓采购,低端市场或面临洗牌。摩根士丹利预测,2025年全球存储收入有望达2000亿美元,但行业将延续高成长与强周期并存特征,高端芯片供需紧张持续,中低端芯片或于2026年进入调整阶段。
原文链接
11月20日,存储芯片缺货与涨价成为行业焦点,深圳华强北经销商反映DDR4内存条价格较年初翻倍,现货市场波动剧烈。TrendForce数据显示,DDR5颗粒价格两月内暴涨307%,NAND Flash也出现显著涨幅。此轮涨价主因北美AI服务器需求激增,三星、SK海力士等巨头优先供应高利润的HBM和企业级存储,消费电子市场供应受挤压。小米、联想等厂商警告,明年手机和PC或将因存储成本飙升而大幅涨价,低端机型可能‘降容降配’。业内预计,存储供需失衡将持续至2027-2028年,期间电子产品价格或持续上涨。与此同时,国产存储厂商正加速填补市场空缺,推动行业标准化发展。
原文链接
11月17日,海光信息高管在第三季度业绩说明会上指出,存储芯片价格波动可能推高服务器厂商成本,主要因AI服务器需求爆发。作为国内少数拥有高端通用处理器和AI加速处理器的芯片厂商,海光信息将借助国内高性能计算芯片需求增长,深化与整机厂商合作,推动产品市场扩展。
原文链接
2025年下半年,AI驱动的存储芯片“超级周期”席卷全球,三星电子本月将某些内存芯片价格较9月上调60%,SK海力士HBM订单售罄。DRAM和NAND Flash价格全面上行,行业迈入持久强劲的增长阶段。A股市场相关公司股价飙升,香农芯创年初迄今涨幅达514.1%,德明利涨334.53%。然而,香农芯创股东减持,德明利负债率高企且现金难以覆盖短债。当前,存储芯片市场呈现寡头格局,A股玩家分为模组厂、代理商及技术厂商三类。江波龙、德明利等公司积极备货,存货成盈利关键点,但技术迭代与扩产可能带来滞销或减值风险。
原文链接
11月12日,摩根士丹利发布报告《内存——最强定价权》,上调三星电子和SK海力士目标股价。三星目标价调至14.4万韩元,牛市或达17.5万韩元;SK海力士目标价升至73万韩元,牛市有望达85万韩元。报告称,受AI基础设施竞争推动,DRAM和NAND闪存价格持续上涨,DDR5现货价格9月以来飙升336%。大摩预测,DRAM价格未来几周将继续大涨,NAND合约价第四季度或涨20%-30%,此次存储芯片涨价幅度前所未有,行业进入超级周期,盈利前景可观。这是大摩一个月内第二次上调两公司目标价。
原文链接
11月6日,受HBM4涨价消息推动,美股存储板块爆发,美光科技股价周三大涨近9%,盘中创下239.88美元的历史新高。韩国SK海力士透露,与英伟达完成HBM4供应谈判,单价较HBM3E高出50%以上,达到约560美元,超出市场预期。此消息提振存储行业情绪,希捷科技和闪迪涨超10%,西部数据涨超5%。美光2025财年HBM相关收入达100亿美元,第四财季单季收入接近20亿美元。多家机构上调美光目标价,花旗预测DRAM价格将创90年代以来最大季度涨幅。不过,美光HBM4面临良率与性能挑战,可能需重新设计并推迟量产,同时SK海力士与三星扩产或加剧竞争压力。
原文链接
加载更多
暂无内容