据台湾工商时报报道，英伟达计划在2025年3月的GTC大会上推出CPO交换机新品，预计8月量产。该交换机由台积电制造的ASIC芯片支持，可实现115.2Tbps信号传输。台积电已验证1.6Tbps光引擎，正测试3.2Tbps产品。CPO技术通过缩短光电信号距离，提升互连密度并降低功耗。近期，台积电与博通、Marvell均在CPO技术上取得进展，加速其在AI应用中的落地。开源证券认为，随着AI集群规模增长，CPO交换机有望迎来产业机遇期。

博通公司于近日宣布推出全球首个3.5D F2F封装技术，命名为3.5D XDSiP。该技术能够在一个封装内集成超过6000平方毫米的硅芯片及多达12个HBM内存堆栈，旨在满足大型AI芯片所需的高性能与低功耗需求。目前，博通正利用此技术开发五款新产品，计划于2026年2月启动生产。这一创新技术的推出标志着半导体行业在封装技术上的重大突破，将为高性能计算和人工智能领域带来新的发展机遇。 （摘要长度：219字）

台积电正在大幅提高其CoWoS高级封装技术的产能，目标是在2026年将其月产量从目前的36000片提高到130000片。CoWoS技术对人工智能加速器的开发至关重要，能够实现更高的性能和集成度。 台积电计划在2027年推出一种新型的“超级载体”CoWoS技术，该技术将提供高达九个光罩尺寸的中介层和1...

【中信证券报告】先进封装技术成“后摩尔时代”关键路径，AI底层驱动新趋势。财联社8月26日发布，中信证券指出，先进封装技术正崛起为AI底层驱动技术的重要一环，且成为当前产能瓶颈的关键因素。全球范围内，海外前道厂商在这一领域占据主导地位，而封测厂商紧随其后。中国企业在这一领域亦有积极布局，展现出追赶之势。先进封装技术被视作“后摩尔时代”超越摩尔定律的重要路径，其对于推动计算能力提升、实现更高效能芯片具有重要意义。对此，报告建议投资者关注在先进封装技术上有所布局的制造企业、封测企业以及相关的供应链设备厂商。此报告揭示了科技行业的最新动态与投资机遇，对寻求未来增长点的投资者具有指导意义。

内存技术革新：大厂美光预测2026年将推出64GB HBMNext，采用16层32Gb DRAM堆叠。HBM4将依赖先进封装技术，如TSV，提升带宽和容量。3D DRAM被视为HBM后续，三星与SK海力士正研发，三星已展示16层3D DRAM，SK海力士5层堆叠良率达到56.1%。两大厂商计划采用混合键合技术，三星可能在2025年推出3D DRAM。然而，3D DRAM面临制造挑战，如微缩、堆叠集成难题及封装技术升级，距量产尚需时间。行业专家预测，3D DRAM将在AI服务器需求推动下，逐渐取代HBM。