台积电正在大幅提高其CoWoS高级封装技术的产能，目标是在2026年将其月产量从目前的36000片提高到130000片。CoWoS技术对人工智能加速器的开发至关重要，能够实现更高的性能和集成度。 台积电计划在2027年推出一种新型的“超级载体”CoWoS技术，该技术将提供高达九个光罩尺寸的中介层和1...

内存技术革新：大厂美光预测2026年将推出64GB HBMNext，采用16层32Gb DRAM堆叠。HBM4将依赖先进封装技术，如TSV，提升带宽和容量。3D DRAM被视为HBM后续，三星与SK海力士正研发，三星已展示16层3D DRAM，SK海力士5层堆叠良率达到56.1%。两大厂商计划采用混合键合技术，三星可能在2025年推出3D DRAM。然而，3D DRAM面临制造挑战，如微缩、堆叠集成难题及封装技术升级，距量产尚需时间。行业专家预测，3D DRAM将在AI服务器需求推动下，逐渐取代HBM。