11月27日，受AI基础设施建设推动，全球内存芯片供需关系急剧恶化。戴尔、惠普等科技巨头警告，2026年将出现明显内存短缺，价格上涨压力难以避免。戴尔COO称成本上涨速度空前，涉及HBM、DRAM、NAND闪存等产品，终端客户或将面临重新定价。惠普CEO预计2026年下半年供应最严峻，公司可能上调价格并降低部分产品内存容量。市场研究机构预测，至2026年Q2内存模组价格或涨50%。小米称手机因内存短缺将涨价，联想已增加库存。苹果凭借供应链优势，获得稳定供应保障。

2025年11月19日，Counterpoint Research报告指出，英伟达因降低AI服务器耗电量需求，将内存从DDR5转向LPDDR5X，这一改变可能引发内存价格今明两年内翻倍。LPDDR广泛应用于手机、笔记本和AI数据中心，但每台AI服务器所需芯片远超手机，导致突发性需求激增。三星、SK海力士、美光等供应商此前集中生产高带宽内存（HBM），减少旧款DRAM产量，已造成低端市场短缺，风险正向高端市场蔓延。报告预计，2025年第一季度至2026年底，服务器内存价格将上涨一倍，进一步推高云服务与AI开发成本，为数据中心预算增加压力。

11月18日，DRAM内存和NAND闪存价格飙升，消费者与OEM厂商均受冲击，利润被挤压。摩根士丹利下调多家企业股票评级，如戴尔从增持降至减持，目标股价从144美元降至110美元；惠普、联想等也遭降级或收益预期下调。报告指出，多数厂商选择自行承担成本以保住客户，凸显危机严重性。苹果因提前囤货及长期供应协议受影响较小。此外，三大原厂三星、SK海力士、美光近期不会显著增产，540亿美元投资主要用于HBM内存，而非消费级产品。原因包括高额投资与长周期风险、行业周期波动性，以及对AI泡沫可能破裂的担忧。长鑫、长江因设备制裁难以扩大产能。

2025年11月17日，DRAM内存价格持续飙升，引发行业恐慌性抢购。PC厂商、OEM厂商及系统集成商为确保库存，大量采购内存条，而内存条厂商则疯抢内存芯片，进一步加剧市场紧张局势。华硕等大厂虽有长期合约，但仍转向现货市场采购，目前库存可支撑至2025年，但若局势持续，2026年可能面临短缺并调涨产品价格。此外，AI热潮推动HBM和数据中心内存需求激增，消费级内存供应被挤压，导致新品发布推迟。业内人士警告，此局面或引发长达十年的‘价格灾难’，而内存芯片厂商因投资成本高、回报周期长，对扩产持谨慎态度。同时，AI热潮是否为泡沫仍是未知数。

10月23日，据《科创板日报》报道，人工智能推动的存储“超级周期”预计持续时间更长且强度更大。三星电子和SK海力士等主要内存供应商计划在第四季度将DRAM和NAND闪存价格上调30%，以应对AI驱动的存储芯片需求激增，并提升第6代HBM的盈利能力。这一举措显示出存储行业在技术升级与市场需求双重推动下的强劲增长势头。（韩国经济日报）

财联社3月27日电，自2024年起，多家存储芯片原厂实施15%-25%减产计划应对库存压力。至2025年，供需优化推动内存价格持续上涨。近期，美光、三星等企业相继上调内存产品价格。业内称，自2024年四季度起，存储原厂通过调节产能去库存，并因AI端侧产品需求增长，显著提升存储市场需求。目前，多家企业订单已排至三季度，为满足需求，各存储企业正加快扩产步伐。