11月1日，随着AI推理市场增长，存储行业进入“后HBM时代”。三星、SK海力士等巨头推进第六代HBM，同时押注全新技术HBF（高带宽闪存）。SK海力士在2025 OCP全球峰会上推出AIN系列，包含HBF产品，并与闪迪合作制定技术规范，计划2026年下半年推出首批样品，2027年初应用于AI推理设备。HBF结合3D NAND容量和HBM带宽，被视为弥补HBM容量不足的辅助内存。“HBM之父”金正浩认为其对下一代AI至关重要。预计到2030年，HBF市场规模达120亿美元，与HBM形成互补。当前，AI推理需求推动存储容量激增，企业级固态硬盘供应趋紧，存储行业处于“超级周期”，2026年DRAM采购需求有望大幅成长。

9月15日，韩国科学技术院（KAIST）教授金正浩，被称为“HBM之父”，指出HBF（高带宽闪存）可能成为人工智能未来的关键因素。HBF是一种专为AI设计的新型存储器架构，采用NAND闪存替代DRAM，与现有的HBM技术类似但更具优势。金正浩强调，当前AI发展的主要瓶颈在于内存带宽和容量，而速度较慢但容量更大的NAND闪存可有效弥补这一短板。这一观点为AI存储技术的发展提供了新方向。（TheElec）