《科创板日报》6日消息，日本NAND闪存巨头铠侠宣布中长期业务计划，计划五年内将其在日本四日市工厂和北上工厂的产能较2024财年翻一番，目标在2029财年达成，以应对人工智能数据中心对NAND闪存的需求增长。铠侠还计划于2026年下半年开始生产下一代内存产品。

2025年5月26日，据TrendForce调查显示，受北美云服务提供商加大AI投资影响，企业级SSD需求预计将在2025年第三季度显著增长，成品库存低导致供应紧张，可能推动NAND闪存价格上涨，季度涨幅或达10%。年初供应商采取保守产能策略使NAND市场趋于平衡，但美国关税政策扰乱了第二季度市场节奏。尽管PC制造商加速出货，零售市场仍承压，供应商谨慎控产。近期存储需求增强，源于NVIDIA GB200高端AI服务器出货及HDD订单增加，反映企业扩大存储基础设施。在CSP服务器建设需求稳定的背景下，SSD和HDD均受益于企业资本支出扩张，迎来订单增长。

3月12日消息，美光科技新加坡工厂突发断电导致下游企业缺货。美光已向供应商提出NAND闪存芯片涨价10%以上，以应对营收利润下滑。此外，闪迪计划从4月起也将提高NAND闪存价格10%以上，三星和SK海力士也在准备涨价。美光将在3月20日发布新一季度业绩报告。

SK海力士在NAND和DRAM领域长期落后于三星，但近期因HBM技术的成功，其半导体业务首次实现年度营业利润领先。目前，SK海力士在全球NAND市场的份额从2020年的11.7%增长到2024年第二季度的22.5%，有望首次超过20%。 SK海力士最近量产了321层TLC NAND闪存，成为首家实现...

三星在存储市场面临严峻挑战，SK海力士近日宣布量产全球首款321层1Tb TLC NAND闪存，领先于三星。SK海力士的HBM3芯片良率达到60%-70%，远超三星的10%-20%，导致三星在HBM市场逐渐落后。此外，三星在DRAM和NAND领域也相继被SK海力士超越，后者在AI驱动的NAND需求中受益明显。SK海力士的eSSD销售额同比增长430%，占据其整体SSD销售额的60%。面对挑战，三星近期对半导体部门领导层进行了大规模调整，以提升竞争力。尽管如此，三星仍在CXL技术和PIM领域有所进展，但短期内难以转化为市场优势。三星计划于2026年推出400层NAND闪存，但目前仍需奋起直追。 摘要时间：近期 来源：韩媒消息及相关报道

标题：3D NAND内存：技术革新与市场动态 随着存储市场复苏，铠侠和三星等厂商逐步提升产能利用率，结束了先前的减产策略。尽管NAND市场可能面临产能过剩的担忧，但高容量需求如AI数据中心仍支撑市场。3D NAND技术的持续发展，如铠侠的200层以上堆叠，推动了存储密度的大幅提升。 20年来，NAN...

三星和SK海力士的通用DRAM工厂开工率提升至80%-90%，相较于年初的70%-80%有所增加，但仍未达全面启动状态，需求增长受限于智能手机、PC和服务器市场的疲软。相比之下，NAND闪存需求因AI驱动的eSSD需求恢复强劲，三星、SK海力士及铠侠的工厂已转为全面生产，显示出鲜明的供需差异。这一动态反映了近期DRAM市场的真实性和时效性，截止日期为《科创板日报》19日的调查报告。(ETNEWS，202X年第二季度)