财联社9月5日讯，SK海力士在2023年第二季度蝉联全球DRAM市场占有率第一，份额从第一季度的36.9%升至39.5%，连续两个季度超越三星电子。得益于DRAM合约价格上涨和HBM出货量增加，SK海力士销售额达122.26亿美元，领先三星电子超19亿美元。三星电子市占率从34.4%降至33.3%，与SK海力士差距扩大至6.2个百分点。SK海力士占据全球HBM市场超50%份额，主要客户包括英伟达等科技巨头，预计今年营业利润将达30万亿-33万亿韩元。

2025年8月25日，SK海力士宣布成功开发并开始量产321层2Tb QLC NAND闪存产品。该产品预计将在明年上半年正式进入AI数据中心市场，为高性能存储需求提供支持。这一技术突破展示了SK海力士在存储领域的领先地位，同时为未来数据中心和AI应用提供了更高效的存储解决方案。

2025年二季度，全球DRAM市场规模达321.01亿美元，环比增长20%，创历史季度新高。AI驱动的高价值DRAM（如HBM3E和DDR5）需求增长，叠加存储原厂EOL通知刺激DDR4/LPDDR4X价格与需求攀升，推动市场扩张。SK海力士以38.2%的市场份额蝉联第一，并扩大了与三星的差距，巩固其在DRAM市场的领先地位。

8月11日，SK海力士高管预测，到2030年，AI用HBM芯片市场将以每年30%的速度增长，规模达数百亿美元。HBM业务规划主管Choi Joon-yong表示，亚马逊、微软等云服务商的数十亿美元AI支出推动需求，且未来可能进一步上升。他强调AI建设与HBM购买间存在直接关联，SK海力士的预测已考虑能源等限制因素。此外，存储行业正经历战略变化，下一代HBM4技术将支持客户定制化需求，而主要竞争对手三星则警告短期内HBM3E可能供过于求，或对价格造成压力。SK海力士对其竞争力保持信心。

据《科创板日报》1日报道，SK海力士表示正在与英特尔合作，开发大带宽、大容量内存技术，并有望向英特尔即将推出的Jaguar Shores AI显卡加速器供应HBM4内存。此次合作标志着双方在AI芯片领域的深度协同，进一步推动高性能计算的发展。

据ZDNet Korea报道，SK海力士正着手为亚马逊生产12层HBM3E，预计亚马逊将在今年底或明年初推出下一代AI芯片Trainium 3。新芯片在计算性能上较前代提升一倍，能效提升约40%，并配备总容量达144GB的内存，集成4个12层HBM3E。这一合作标志着高性能存储技术在AI领域的进一步突破，相关产品有望推动云计算和人工智能应用的发展。

6月17日，韩国SK海力士股价盘中创上市20多年新高。这得益于SK集团计划与AWS合作，在蔚山建设韩国最大的AI数据中心，目标电力容量103兆瓦，部署多达6颗GPU，助力韩国AI发展。SK海力士作为全球HBM芯片龙头，一季度HBM收入份额达70%，带动其全球DRAM市场份额超越三星。同时，SK海力士2025年HBM产能已售罄，并完成HBM4样品开发，计划下半年量产。受此影响，SK海力士周一涨5.31%，周二续涨；而三星电子因HBM竞争劣势，年内涨幅仅约10%。

韩国芯片巨头SK海力士第一季度营收和营业利润均超预期，分别达17.64万亿韩元（约899.10亿元人民币）和7.44万亿韩元（约379.21亿元人民币），同比分别增长42%和158%，主要受益于AI热潮下的HBM芯片强劲需求。然而，季度环比营收下降11%，利润下降8%。SK海力士预计第二季度12层HBM3E销售额将过半，巩固其在HBM市场的70%份额，同时超越三星成为DRAM市场领头羊，占据36%份额。但特朗普政府的关税政策带来贸易不确定性，市场担忧经济衰退可能冲击芯片需求。

根据Counterpoint Research报告，SK海力士首次超越三星，成为全球DRAM市场冠军，第一季度市场份额达36%，略高于三星的34%。SK海力士的成功得益于其在高带宽内存（HBM）领域的领导地位，HBM需求受AI热潮推动，SK海力士占据该领域70%份额。尤其在AI服务器加速器市场，其HBM3E芯片独家供应英伟达。此外，SK海力士1c DRAM良率提升至80%，领先三星，预计HBM内存芯片需求未来三年年增长率达82%。相比之下，三星仍依赖传统DRAM，约80%-90%收入来自传统芯片，面临市场需求萎缩的压力。

3月27日消息，SK海力士CEO郭鲁正在股东大会上透露，受益于人工智能生态系统扩展及新AI模型需求增加，HBM产品需求预计大幅增长。他预计2025年HBM产品在其存储芯片总销售额中的占比将超50%，较2024年的40%进一步提升。同时，HBM市场有望在2024年增长9倍，eSSD市场增长3.5倍。这一预测凸显了AI技术发展对存储芯片行业的深远影响。