据《科创板日报》1日报道，SK海力士表示正在与英特尔合作，开发大带宽、大容量内存技术，并有望向英特尔即将推出的Jaguar Shores AI显卡加速器供应HBM4内存。此次合作标志着双方在AI芯片领域的深度协同，进一步推动高性能计算的发展。

据ZDNet Korea报道，SK海力士正着手为亚马逊生产12层HBM3E，预计亚马逊将在今年底或明年初推出下一代AI芯片Trainium 3。新芯片在计算性能上较前代提升一倍，能效提升约40%，并配备总容量达144GB的内存，集成4个12层HBM3E。这一合作标志着高性能存储技术在AI领域的进一步突破，相关产品有望推动云计算和人工智能应用的发展。

6月17日，韩国SK海力士股价盘中创上市20多年新高。这得益于SK集团计划与AWS合作，在蔚山建设韩国最大的AI数据中心，目标电力容量103兆瓦，部署多达6颗GPU，助力韩国AI发展。SK海力士作为全球HBM芯片龙头，一季度HBM收入份额达70%，带动其全球DRAM市场份额超越三星。同时，SK海力士2025年HBM产能已售罄，并完成HBM4样品开发，计划下半年量产。受此影响，SK海力士周一涨5.31%，周二续涨；而三星电子因HBM竞争劣势，年内涨幅仅约10%。

韩国芯片巨头SK海力士第一季度营收和营业利润均超预期，分别达17.64万亿韩元（约899.10亿元人民币）和7.44万亿韩元（约379.21亿元人民币），同比分别增长42%和158%，主要受益于AI热潮下的HBM芯片强劲需求。然而，季度环比营收下降11%，利润下降8%。SK海力士预计第二季度12层HBM3E销售额将过半，巩固其在HBM市场的70%份额，同时超越三星成为DRAM市场领头羊，占据36%份额。但特朗普政府的关税政策带来贸易不确定性，市场担忧经济衰退可能冲击芯片需求。

根据Counterpoint Research报告，SK海力士首次超越三星，成为全球DRAM市场冠军，第一季度市场份额达36%，略高于三星的34%。SK海力士的成功得益于其在高带宽内存（HBM）领域的领导地位，HBM需求受AI热潮推动，SK海力士占据该领域70%份额。尤其在AI服务器加速器市场，其HBM3E芯片独家供应英伟达。此外，SK海力士1c DRAM良率提升至80%，领先三星，预计HBM内存芯片需求未来三年年增长率达82%。相比之下，三星仍依赖传统DRAM，约80%-90%收入来自传统芯片，面临市场需求萎缩的压力。

3月27日消息，SK海力士CEO郭鲁正在股东大会上透露，受益于人工智能生态系统扩展及新AI模型需求增加，HBM产品需求预计大幅增长。他预计2025年HBM产品在其存储芯片总销售额中的占比将超50%，较2024年的40%进一步提升。同时，HBM市场有望在2024年增长9倍，eSSD市场增长3.5倍。这一预测凸显了AI技术发展对存储芯片行业的深远影响。

3月19日，韩国半导体企业SK海力士宣布推出专为人工智能设计的超高性能DRAM新品——12层HBM4，并在全球范围内首次向主要客户提供了该产品的样品。作为下一代存储技术，HBM4将显著提升数据处理速度与效率，助力高性能计算和AI领域的发展。SK海力士透露，预计将在今年下半年完成量产准备工作。这一进展标志着全球半导体行业在先进存储解决方案上的又一重要突破。

SK海力士宣布CIS事业部将转向AI存储器领域。自2007年成立以来，CIS事业部克服挑战，成功进入移动端市场。如今，公司正积极转型，利用其技术优势增强AI存储器市场的竞争力。2024年，SK海力士实现营收66.1930万亿韩元，营业利润23.4673万亿韩元，净利润19.7969万亿韩元。此举旨在整合全公司资源，满足市场对AI半导体存储器的需求，巩固其全球领导地位。

SK海力士1月MCP出口额达12.9亿美元，同比增105.7%，但环比跌29.8%。1月对台湾出口额9.94亿美元，较12月降51.1%，为2024年5月以来最低。分析师预计HBM市场对季节性趋势更敏感，SK海力士Q1 HBM出货量可能降超10%。三星电子和SK海力士股价受挫，分别跌2.4%和9.8%。DeepSeek崛起对英伟达等美企造成冲击，影响韩国存储器半导体公司。三星电子计划扩大HBM bit供应，目标全年供应量翻倍。

SK海力士在2023年第四季度财报中，营收达19.76万亿韩元（约1001.83亿元人民币），同比增长75%；营业利润为8.1万亿韩元（约410.67亿元人民币），同比暴增超2000%。HBM芯片需求强劲，使得SK海力士的季度营业利润首次超过三星电子。SK海力士表示，HBM芯片占其第四季度DRAM总收入的40%，预计2025年HBM销售额将增长100%以上。SK海力士计划增加HBM3E的供应量，并适时开发HBM4。今年以来，SK海力士股价上涨约30%，表现优于三星电子。