10月2日，韩国存储芯片巨头三星电子和SK海力士股价飙升，三星涨超4%，创2021年1月以来新高，SK海力士涨逾11%，达历史高位。此前一天，两公司与OpenAI达成合作，为“星际之门”项目提供先进存储芯片并扩大韩国数据中心容量。OpenAI CEO萨姆·奥尔特曼在首尔会见了韩国总统及两家公司高层。SK海力士正准备量产下一代HBM芯片，需求旺盛，其市占率达62%。三星第五代HBM3E通过英伟达资格测试，成为第三家认证供应商。传统DRAM和NAND芯片也因供应紧张大幅提价，部分产品涨价达30%。摩根士丹利预测内存芯片行业将迎来“超级周期”，三星和SK海力士股票仍被看好。

2025年9月24日消息，最新数据显示，三星电子在Q2全球高带宽内存（HBM）芯片市场份额下滑至17%，排名第三，美光科技以21%升至第二。SK海力士以62%稳居第一。HBM是AI应用核心部件，需求迅猛增长。分析师预计，随着下一代HBM4进入英伟达供应链，三星明年市占率将超30%。三星的第五代HBM3E已通过英伟达认证，并计划本月大量出货HBM4样品。SK海力士已完成HBM4开发并建立量产体系，有望纳入英伟达下一代GPU。韩国厂商合计市占率近80%，主导市场，且将在晚些时候推出HBM4芯片巩固地位。研究机构提醒，需警惕美光及中国厂商的竞争。

分析机构TrendForce集邦咨询9月18日表示，英伟达2026年HBM4内存供应仍由SK海力士主导，得益于其技术成熟度与产能优势。然而，若英伟达为提升Rubin GPU竞争力要求供应商提供更快的10Gbps HBM4，三星电子或因采用自家4nm FinFET工艺而受益。不过，英伟达也可能因规格升级推高成本或能耗而选择部分型号导入更高规格组件，或者延后第二阶段认证以开放更多供应商参与。

2025年9月14日，SK海力士宣布率先完成全球首款HBM4内存研发，并已准备好大规模量产。该内存采用2048-bit I/O接口位宽，单针脚带宽达10Gbps，单颗带宽高达2.5TB/s，超出JEDEC标准的8Gbps，可为AI设备带来最多69%性能提升。SK海力士使用自研MR-MUF封装技术和1bnm工艺（第五代10nm级），但堆叠层数和单颗容量尚未披露，预计最高支持12层堆叠。HBM4将成为下一代AI基础设施关键组件，NVIDIA Rubin预计将搭载288GB HBM4，而AMD Instinct MI400系列最高可达432GB，带宽19.6TB/s。三星也在积极推进HBM4，试图与SK海力士竞争。

9月11日，韩国内存芯片制造商SK海力士股价创下历史新高，盘中一度涨至329500韩元，收盘涨7%至328500韩元。这一上涨源于其下一代高带宽内存HBM4即将量产的消息。HBM4带宽较上一代提升两倍，能效改善超40%，可使AI服务性能提升69%，并降低数据中心电力成本。SK海力士已向客户交付HBM4样品，计划下半年完成12层HBM4量产准备。若通过英伟达测试，其内存将被用于2026年推出的Rubin系列AI加速器。分析师预测，SK海力士的HBM市场份额到2026年或达60%。与此同时，三星电子正加紧1c DRAM产能布局，试图追赶SK海力士在HBM4领域的领先优势。

《科创板日报》11日讯，SK海力士与Naver Cloud签署谅解备忘录，合作推动下一代AI内存解决方案的商业化。双方将重点测试CXL和PIM技术，计划在Naver Cloud的实际数据中心进行概念验证。这一合作旨在超越HBM技术，加速新型AI内存产品的研发与应用。 (Sedaily)

2025年9月11日，SK海力士宣布开始供应全新高性能NAND闪存解决方案ZUFS 4.1，以满足搭载设备端人工智能（AI）功能的智能手机需求。新产品基于区域存储技术，通过将数据按使用特性和需求分类存储，显著提升了操作系统速度和数据管理效率。SK海力士此次推出的新方案旨在应对快速增长的AI设备市场，为用户提供更高效的存储体验，进一步巩固其在高端存储领域的竞争力。

财联社9月5日讯，SK海力士在2023年第二季度蝉联全球DRAM市场占有率第一，份额从第一季度的36.9%升至39.5%，连续两个季度超越三星电子。得益于DRAM合约价格上涨和HBM出货量增加，SK海力士销售额达122.26亿美元，领先三星电子超19亿美元。三星电子市占率从34.4%降至33.3%，与SK海力士差距扩大至6.2个百分点。SK海力士占据全球HBM市场超50%份额，主要客户包括英伟达等科技巨头，预计今年营业利润将达30万亿-33万亿韩元。

2025年8月25日，SK海力士宣布成功开发并开始量产321层2Tb QLC NAND闪存产品。该产品预计将在明年上半年正式进入AI数据中心市场，为高性能存储需求提供支持。这一技术突破展示了SK海力士在存储领域的领先地位，同时为未来数据中心和AI应用提供了更高效的存储解决方案。

2025年二季度，全球DRAM市场规模达321.01亿美元，环比增长20%，创历史季度新高。AI驱动的高价值DRAM（如HBM3E和DDR5）需求增长，叠加存储原厂EOL通知刺激DDR4/LPDDR4X价格与需求攀升，推动市场扩张。SK海力士以38.2%的市场份额蝉联第一，并扩大了与三星的差距，巩固其在DRAM市场的领先地位。