11月20日，韩国KB证券上调全球存储芯片巨头SK海力士目标股价至87万韩元，维持“买入”评级。受英伟达强劲财报提振，SK海力士当日股价大涨超4%。KB证券指出，DRAM市场或于2027年转为供应商主导格局，存储需求进入30年来首次繁荣周期，供应短缺将持续至少两年。分析师预计，SK海力士第四季度营收和营业利润将创新高，分别达28.1万亿韩元和15.1万亿韩元。此外，其HBM市场份额有望保持在60%-65%，并在AI存储领域占据领先地位。近期，摩根士丹利和瑞银等投行也纷纷上调其目标价。

三星电子与SK海力士计划在2026年上半年完成新一代高带宽内存HBM4E的研发。该技术将应用于包括英伟达Rubin平台顶级版本R300在内的新型人工智能加速器中。搭载HBM4E的AI加速器预计于2027年发布，为此双方正加速研发进程，并力争在2025年下半年完成质量验证。这一进展凸显了全球科技巨头在AI硬件领域的激烈竞争和技术革新步伐。(ChosunBiz)

11月4日，SK海力士在韩国首尔举行的AI峰会上公布了未来存储技术路线图。根据规划，2026~2028年将推出16层堆叠的HBM4内存、LPDDR5R和LPDDR6等DRAM产品，以及PCIe Gen6固态硬盘和UFS 6.0存储方案。2029~2031年，公司将进入HBM5 (E)时代，同时发布DDR6、GDDR下一代产品、3D DRAM，以及400+层堆叠NAND和PCIe Gen7 SSD。此外，SK海力士计划通过定制化HBM解决方案，将控制器等功能集成到HBM基础裸片中，提升计算效率并降低能耗。公司还提出AI时代DRAM三大发展方向：低功耗高性能的AI-D O、集成计算能力的AI-D B，以及扩展应用领域的AI-D E。

2025年11月3日，SK海力士宣布正在研发包括HBM、AI-DRAM和AI-NAND在内的新型存储产品，并公布内存产品发展路径图。为推动技术进步，SK海力士深化与多家科技巨头的合作：与英伟达携手推进AI制造技术，与台积电共同开发下一代HBM基片，同时与闪迪合作促进高带宽闪存（HBF）市场的国际标准化。这一系列动作表明SK海力士正积极布局AI存储领域，强化其在全球市场的竞争力。

10月29日，SK海力士发布Q3财报，营收24.45万亿韩元（同比增长39%），营业利润11.38万亿韩元（同比增长62%），均创历史新高，但略低于分析师预期。公司表示，AI基础设施投资推动高附加值产品（如12层HBM3E和DDR5）需求激增，带动业绩增长。SK海力士透露，HBM4已完成开发并投入量产，Q4开始出货，计划明年全面扩销。此外，公司已与主要客户完成明年HBM供应洽谈。目前，SK海力士在全球HBM市场占据62%份额，领先美光和三星。CFO金宇铉称，AI热潮正扩散至更广泛芯片领域，公司将通过领先技术巩固市场地位。

10月27日，韩国芯片制造商SK海力士在“2025 OCP全球峰会”上公布了针对人工智能行业定制的下一代NAND存储产品策略。随着AI推理市场迅速发展，对高效处理海量数据的NAND存储需求激增，SK海力士推出AI-NAND（AIN）系列产品线，专为AI时代设计。AIN系列包括三款产品：AIN P优化大规模AI推理环境的数据输入输出，计划2026年底推出样品；AIN D实现低功耗、低成本的PB级高容量存储；AIN B通过HBF技术扩大带宽。SK海力士首席开发官Ahn Hyun表示，将与客户合作成为下一代NAND存储市场的关键参与者。

10月2日，韩国存储芯片巨头三星电子和SK海力士股价飙升，三星涨超4%，创2021年1月以来新高，SK海力士涨逾11%，达历史高位。此前一天，两公司与OpenAI达成合作，为“星际之门”项目提供先进存储芯片并扩大韩国数据中心容量。OpenAI CEO萨姆·奥尔特曼在首尔会见了韩国总统及两家公司高层。SK海力士正准备量产下一代HBM芯片，需求旺盛，其市占率达62%。三星第五代HBM3E通过英伟达资格测试，成为第三家认证供应商。传统DRAM和NAND芯片也因供应紧张大幅提价，部分产品涨价达30%。摩根士丹利预测内存芯片行业将迎来“超级周期”，三星和SK海力士股票仍被看好。

2025年9月24日消息，最新数据显示，三星电子在Q2全球高带宽内存（HBM）芯片市场份额下滑至17%，排名第三，美光科技以21%升至第二。SK海力士以62%稳居第一。HBM是AI应用核心部件，需求迅猛增长。分析师预计，随着下一代HBM4进入英伟达供应链，三星明年市占率将超30%。三星的第五代HBM3E已通过英伟达认证，并计划本月大量出货HBM4样品。SK海力士已完成HBM4开发并建立量产体系，有望纳入英伟达下一代GPU。韩国厂商合计市占率近80%，主导市场，且将在晚些时候推出HBM4芯片巩固地位。研究机构提醒，需警惕美光及中国厂商的竞争。

分析机构TrendForce集邦咨询9月18日表示，英伟达2026年HBM4内存供应仍由SK海力士主导，得益于其技术成熟度与产能优势。然而，若英伟达为提升Rubin GPU竞争力要求供应商提供更快的10Gbps HBM4，三星电子或因采用自家4nm FinFET工艺而受益。不过，英伟达也可能因规格升级推高成本或能耗而选择部分型号导入更高规格组件，或者延后第二阶段认证以开放更多供应商参与。

2025年9月14日，SK海力士宣布率先完成全球首款HBM4内存研发，并已准备好大规模量产。该内存采用2048-bit I/O接口位宽，单针脚带宽达10Gbps，单颗带宽高达2.5TB/s，超出JEDEC标准的8Gbps，可为AI设备带来最多69%性能提升。SK海力士使用自研MR-MUF封装技术和1bnm工艺（第五代10nm级），但堆叠层数和单颗容量尚未披露，预计最高支持12层堆叠。HBM4将成为下一代AI基础设施关键组件，NVIDIA Rubin预计将搭载288GB HBM4，而AMD Instinct MI400系列最高可达432GB，带宽19.6TB/s。三星也在积极推进HBM4，试图与SK海力士竞争。