2025年9月24日，美光科技公布截至8月28日的第四财季业绩，营收113.2亿美元，同比增长46%，调整后每股收益3.03美元，超出预期。云内存业务销售额达45.4亿美元，同比增长超两倍，但数据中心业务收入下降22%。DRAM和NAND营收分别占总营收79%和20%。公司预计2026财年第一财季营收122亿至128亿美元，毛利率50.5%-52.5%，高于市场预期。美光CEO表示，AI推动高带宽存储芯片（HBM）需求激增，Q4 HBM收入近20亿美元，并计划未来几个月敲定2026年HBM销售协议。

9月15日，韩国科学技术院（KAIST）教授金正浩，被称为“HBM之父”，指出HBF（高带宽闪存）可能成为人工智能未来的关键因素。HBF是一种专为AI设计的新型存储器架构，采用NAND闪存替代DRAM，与现有的HBM技术类似但更具优势。金正浩强调，当前AI发展的主要瓶颈在于内存带宽和容量，而速度较慢但容量更大的NAND闪存可有效弥补这一短板。这一观点为AI存储技术的发展提供了新方向。（TheElec）

财联社3月26日报道，美国哥伦比亚大学和康奈尔大学等机构的科研团队合作开发出一款新型三维光电子芯片，该芯片在数据传输能效和带宽密度方面创下新纪录。这一突破性成果融合了光子技术和互补金属氧化物半导体电子技术，为未来AI硬件的研发提供了重要支持。相关研究成果已发表于最新一期《自然·光子学》杂志。

#HBM市场爆发式增长# 随着ChatGPT带动的大模型训练热潮，HBM（高带宽内存）需求激增，预测2024年位元成长率高达200%，2025年翻倍。三星、SK海力士、美光科技三大存储巨头抢占AI服务器市场，产能紧张，订单爆满。HBM4标准即将完成，技术迭代推动性能提升。然而，国内HBM概念公司大多仍处起步阶段，面临产能排挤和合规挑战。存储大厂如三星电子业绩大增，显示HBM带来的高收益。国产厂商如江波龙有封装能力，但整体参与程度有限。