2月4日，韩国存储巨头三星电子市值首次突破1000万亿韩元（约6880亿美元），成为韩国首家达到此里程碑的企业。在AI热潮推动下，存储产业超级周期持续升温，三星股价继去年飙升125%后，今年已累计上涨约41%。公司预测存储芯片需求将保持强劲，并计划本季度开始交付下一代高带宽内存（HBM）芯片HBM4，进一步巩固其市场地位。这一成就凸显了三星在全球科技领域的领导力及AI相关技术的快速发展。

1月17日，被称为“HBM之父”的韩国KAIST学者Kim Jung-Ho在论坛研讨会上预测，HBF高带宽闪存的商业化进程将比HBM更快。他指出，存储厂商在HBM开发中积累了技术经验，同时AI发展推动了对更大容量存储的需求。目前，SK海力士、三星电子和闪迪正合作推进HBF标准化，预计其带宽将超1638GB/s，容量达512GB。SK海力士计划本月展示HBF早期版本，而三星与闪迪目标是在2027年底至2028年初将其应用于英伟达、AMD等公司的AI XPU。HBF的大规模应用预计将在HBM6发布后实现，Kim Jung-Ho比喻HBM与HBF的关系为书房与图书馆，强调两者在容量和延迟上的差异，并呼吁软件优化以减少HBF写入次数。

中信建投研报指出，随着GPU和ASIC升级迭代，算力性能提升，AI数据中心对高带宽网络硬件需求激增。800G光模块因单位传输成本低、功耗小、尺寸小，成为市场主流。其高增速反映了AI对带宽的迫切需求。预计到2026年，800G光模块需求将持续高速增长，同时1.6T光模块出货规模大幅增长，3.2T光模块研发也已开始布局。该趋势凸显了AI驱动下数据传输技术的快速发展与未来潜力。

2025年12月，微软提出Micro LED光互联技术（MOSAIC），用于解决数据中心数据传输瓶颈问题。随着AI大模型需求增加，传统铜缆和光纤因带宽、功耗及距离限制难以满足需求。MOSAIC利用Micro LED像素作为光源，通过“宽而慢”的传输模式实现高速低功耗通信，单通道速率仅2Gbps，但通过400个像素点可达成800Gbps带宽。相比传统光纤，其体积更小、功耗降低68%，故障率减少至1/100，并支持50米有效传输距离。尽管该技术尚处验证阶段，台积电等厂商正推进商业化布局。此技术有望成为算力中心通信效率提升的关键，助力AI竞赛下半场发展。

2025年9月24日，美光科技公布截至8月28日的第四财季业绩，营收113.2亿美元，同比增长46%，调整后每股收益3.03美元，超出预期。云内存业务销售额达45.4亿美元，同比增长超两倍，但数据中心业务收入下降22%。DRAM和NAND营收分别占总营收79%和20%。公司预计2026财年第一财季营收122亿至128亿美元，毛利率50.5%-52.5%，高于市场预期。美光CEO表示，AI推动高带宽存储芯片（HBM）需求激增，Q4 HBM收入近20亿美元，并计划未来几个月敲定2026年HBM销售协议。

9月15日，韩国科学技术院（KAIST）教授金正浩，被称为“HBM之父”，指出HBF（高带宽闪存）可能成为人工智能未来的关键因素。HBF是一种专为AI设计的新型存储器架构，采用NAND闪存替代DRAM，与现有的HBM技术类似但更具优势。金正浩强调，当前AI发展的主要瓶颈在于内存带宽和容量，而速度较慢但容量更大的NAND闪存可有效弥补这一短板。这一观点为AI存储技术的发展提供了新方向。（TheElec）

财联社3月26日报道，美国哥伦比亚大学和康奈尔大学等机构的科研团队合作开发出一款新型三维光电子芯片，该芯片在数据传输能效和带宽密度方面创下新纪录。这一突破性成果融合了光子技术和互补金属氧化物半导体电子技术，为未来AI硬件的研发提供了重要支持。相关研究成果已发表于最新一期《自然·光子学》杂志。

#HBM市场爆发式增长# 随着ChatGPT带动的大模型训练热潮，HBM（高带宽内存）需求激增，预测2024年位元成长率高达200%，2025年翻倍。三星、SK海力士、美光科技三大存储巨头抢占AI服务器市场，产能紧张，订单爆满。HBM4标准即将完成，技术迭代推动性能提升。然而，国内HBM概念公司大多仍处起步阶段，面临产能排挤和合规挑战。存储大厂如三星电子业绩大增，显示HBM带来的高收益。国产厂商如江波龙有封装能力，但整体参与程度有限。