2025年接近尾声，年初提出的“半导体十大技术趋势预测”迎来关键验收期。2nm工艺实现阶段性量产，台积电、三星、英特尔均取得进展，但大规模供货仍需等到2026年。SK海力士率先量产HBM4存储芯片，三星紧随其后，预计2026年放量。先进封装领域，台积电CoWoS产能显著提升，并加速布局CoPoS技术。AI处理器方面，英伟达Blackwell Ultra GB300规模化量产，谷歌TPU展现特定场景优势。国产车规芯片如地平线征程6P、黑芝麻C1200加速上车，智驾市场进入决赛阶段。量子处理器仍在探索实用化，IBM规划2029年交付大规模容错量子计算机。硅光与CPO技术推动1.6T光模块落地，RISC-V切入AI计算核心战场，8英寸SiC晶圆开始放量，驱动电动汽车与光伏应用。AI+EDA重要性凸显，新思科技DSO.ai和英伟达cuLitho大幅提升设计效率。

11月13日，通用处理器企业Tachyum公布了其2nm Prodigy通用处理器的核心规格，宣称推理性能突破1000 PFLOPs，AI性能较最佳x86处理器提升3倍，HPC性能是最快GPGPU的6倍。完整芯片包含256个内核，顶级型号Prodigy Ultimate提供768/1024个内核、24个DDR5通道，支持DDR5-17600内存，频率可达6.0GHz。Tachyum还表示，基于Prodigy Premium和Ultimate构建的AI机架系统性能分别比英伟达Vera Rubin NVL144和NVL576高出25.8倍和22.3倍。在获得2.2亿美元投资支持下，2nm Prodigy芯片正准备进行流片。

12月6日，台积电在新竹县宝山工厂成功完成2nm制程晶圆的试生产，良品率达到60%，远超预期。台积电董事长魏哲家表示，2nm制程的市场需求巨大，未来订单可能超过3nm制程。台积电已规划新竹、高雄两地至少四座工厂用于2nm制程生产，2026年初总产能可达12万片晶圆。三星在3nm工艺开发受挫，英特尔前景不明，台积电在芯片代工行业已取得压倒性优势。台积电在2nm工艺上的技术积累使其在试生产阶段表现出色，而三星和英特尔在2nm工艺上仍面临挑战。