2025年，英诺赛科凭借氮化镓芯片技术成为英伟达供应链中的中国独家供应商，市值达722.68亿港元。创始人骆薇薇从NASA辞职回国创业，带领团队突破技术瓶颈，9年内将公司从‘三无小作坊’发展为全球氮化镓功率半导体市占率第一的企业（42.4%）。公司采用IDM模式和8英寸工艺，攻克量产难题，并于2024年12月登陆港交所，成为‘中国氮化镓半导体第一股’。英诺赛科的芯片广泛应用于数据中心、新能源汽车等领域，其技术助力英伟达解决AI算力带来的电力系统升级需求。骆薇薇表示，目标是让中国半导体在全球拥有话语权。

2025年8月1日，港股公司英诺赛科（02577.HK）午后暴涨超60%，创历史新高，因入选英伟达最新800V架构供应商名单。英诺赛科采用IDM全产业链模式，拥有全球最大8英寸硅基氮化镓晶圆生产能力，其车规级和AI领域产品出货量分别同比增长986.7%和669.8%。英伟达计划2027年投产800V高压直流供电系统，旨在提升数据中心能效5%，减少铜缆用量45%，降低维护成本70%。中信里昂证券预计英诺赛科数据中心业务收入贡献将从2024年的2%增至2025年的8%。中国银河证券指出，800V供电有望成为AI数据中心主流趋势，支持更高功率需求与新能源接入。目前，英伟达正联合行业伙伴推动800V HVDC生态链建设，预计2027年起引领数据中心电力基础设施过渡。

全球晶圆代工巨头台积电计划于2027年7月终止氮化镓晶圆生产业务，引发行业关注。此前，台积电凭借其技术优势占据全球氮化镓代工市场40%份额，并与纳微半导体等企业合作推动消费电子快充领域突破。然而，因业务优先级调整、市场竞争加剧及原料供应链风险，台积电决定退出该业务。与此同时，纳微半导体宣布与力积电达成合作，预计2025年底完成首批产品认证，逐步转产至8英寸硅基氮化镓技术。此外，英飞凌正推进300毫米GaN晶圆IDM产线，以提升效率和降低成本。尽管台积电退场带来短期震荡，但氮化镓作为第三代半导体核心技术，仍被视为未来十年最具潜力的新兴技术之一，行业或将加速向规模落地转型。

7月10日，台积电证实将在未来两年内退出氮化镓晶圆代工业务，此决定基于市场动态与长期策略。英飞凌计划2025年第四季度提供12英寸氮化镓晶圆样品。业内人士认为，氮化镓产业更适合IDM模式而非代工，因需深度协同设计与应用。目前，12英寸氮化镓晶圆产业化面临技术挑战，尚无MOCVD厂商推出解决方案。市场需求方面，氮化镓功率器件增长显著，预计2029年市场规模达22亿美元，驱动力包括电动汽车、数据中心等。英诺赛科在新能源汽车、AI领域取得突破，车规级芯片交付量同比增长986.7%。公司计划2025年底扩产至月产2万片晶圆，并聚焦车载及高压器件研发。

在上周举办的Electronica 2024 CEO圆桌论坛上，英飞凌、恩智浦和意法半导体三家欧洲芯片巨头的CEO齐聚一堂，共同表达了对中美关系的担忧。他们一致认为，中国在全球半导体供应链中扮演着日益重要的角色，尤其是在电动汽车和工业领域。 讨论中提到，中美政策和限制对全球半导体供应链产生了影响，企...