三星在存储市场面临严峻挑战，SK海力士近日宣布量产全球首款321层1Tb TLC NAND闪存，领先于三星。SK海力士的HBM3芯片良率达到60%-70%，远超三星的10%-20%，导致三星在HBM市场逐渐落后。此外，三星在DRAM和NAND领域也相继被SK海力士超越，后者在AI驱动的NAND需求中受益明显。SK海力士的eSSD销售额同比增长430%，占据其整体SSD销售额的60%。面对挑战，三星近期对半导体部门领导层进行了大规模调整，以提升竞争力。尽管如此，三星仍在CXL技术和PIM领域有所进展，但短期内难以转化为市场优势。三星计划于2026年推出400层NAND闪存，但目前仍需奋起直追。 摘要时间：近期 来源：韩媒消息及相关报道