AI技术的迅猛发展正驱动着高带宽存储需求激增，其中英伟达作为HBM（高带宽内存）市场的主导者，预计在2025年推出Blackwell Ultra、B200A等产品后，其在HBM市场的采购比重将突破70%。根据TrendForce集邦咨询的最新报告，由于AI芯片与单芯片容量的增长，2024年HBM消耗量预估年增率超过200%，并在2025年再翻一番。美国银行预测，HBM市场将持续增长，全球销售额从2023年的16亿美元预计到2027年增长至266亿美元，年均增长率达59%。 三星电子已开始进行客户测试的HBM3E内存产品，预计其速度可达9.8Gbps，带宽不低于1TB/s，而下一代HBM4产品计划在2025年推出。HBM3E12H特别适用于生成式AI服务器领域，相较于HBM3，其最高容量提升50%，性能提升50%，能效提高12%。此外，三星已开始量产128TB SSD，并计划提供基于TLC和QLC NAND技术的高容量产品，以满足AI应用对存储容量的需求。通过推出新一代PCIe Gen5 SSD PM1753，三星旨在提高AI训练和推理性能，与上一代产品相比，其顺序写入性能提升1.6倍，随机读写速度分别提升1.3和1.7倍，闲置功耗降至4W。 随着AI服务器对存储需求的增加，DRAM、NAND Flash、HBM等存储芯片市场开始企稳，三星电子业绩也因此出现回暖。在2024年第二季度财报中，三星电子营收增长23.4%，净利润增长超过600%，创下自2010年以来最快的速度。这一强劲表现主要得益于对存储芯片的强劲需求，尤其是用于AI服务器和SSD的存储芯片。三星预计2024下半年HBM、DDR5和SSD的内存需求将保持强劲，计划扩大产能以提高HBM3E销售比例。