HBM之战：中国加速破墙，英伟达杀入基础裸片设计

2025-08-18 09:43:41

QuantumHacker

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2025年8月，HBM（高带宽存储芯片）技术成为AI算力竞争的核心。中国加速HBM国产替代，从原预计与全球领先水平相差8年缩短至4年左右。长鑫存储已量产HBM2，计划年底完成HBM3验证，并于2027年量产HBM3E。与此同时，SK海力士、三星和美光正迈向HBM4，英伟达则开始自行设计HBM基础裸片，预计2027年量产，推动定制化与架构融合创新。中国厂商在技术上快速追赶，但仍面临设备国产化率低等挑战。此外，英伟达布局HBM5时代，提交了“存储近计算”专利，预计2029年推出。随着AI模型对存储需求激增，HBM的突破将决定未来AI芯片领域的竞争格局。

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