标题：中国EUV光刻技术取得突破性进展

近日，中国科学院上海光学精密机械研究所林楠研究员团队在EUV光刻技术领域取得重要突破。他们利用固体激光器技术研发出LPP-EUV光源，能量转换效率达3.42%，接近国际领先水平。这标志着中国在摆脱对美国技术依赖方面迈出了关键一步。

EUV光刻机的核心部件是激光等离子体（LPP）EUV光源，其能量转换效率至关重要。此前，此类光源由美国公司垄断，而林楠团队通过固体脉冲激光器替代传统二氧化碳激光器，成功提升了转换效率。尽管尚未达到商用标准的5.5%，但已显著缩小了与国际先进水平的差距，并具备实际应用潜力。

该技术不仅有助于解决中国芯片生产的瓶颈问题，还为后续国产EUV光刻机的研发奠定了基础。林楠团队的研究成果已在《中国激光》杂志发表，并计划进一步优化，目标是接近6%的理论极限效率。

ASML作为全球唯一的EUV光刻机制造商，其设备采用13.5nm波长光源，远超当前主流光刻技术。然而，由于美国出口限制，ASML无法向中国供应最先进设备。林楠团队的突破为中国芯片制造提供了新的可能性。

林楠本人拥有丰富的国际科研背景，曾在ASML担任研发科学家，其团队近年来在光刻光源及量测技术方面屡创佳绩。此外，ASML高管承认中国在光刻技术上的进步，但也认为实现完整设备的国产化仍需时日。

随着全球半导体市场竞争加剧，中国正加速推进关键技术的自主研发，以应对国际挑战并确保产业链安全。