标题：存储巨头们，都盯上了HBM

近日，三星宣布将于2028年推出搭载LPW DRAM内存的首款移动产品。LPW DRAM也被称为低延迟宽I/O或“移动HBM”，通过垂直引线键合技术堆叠LPDDR DRAM，大幅增加I/O接口，减少耗电量并提高性能。

近年来，AI浪潮带动数据中心和服务器市场对内存性能要求提高，HBM因其卓越性能成为热门选择。SK海力士、三星电子、美光等大厂纷纷将HBM纳入核心产品线。

目前，存储巨头们计划扩大HBM芯片的使用范围，从数据中心扩展到汽车和移动设备市场。HBM在汽车领域的应用尚处于起步阶段，但已取得突破。SK海力士的HBM2E已被应用于谷歌Waymo自动驾驶汽车，展示高性能内存的重要作用。

与此同时，移动设备对内存性能需求日益增长。HBM通过3D堆叠技术，提供高带宽和低延迟，满足AI运算需求。三星和SK海力士分别开发VCS和VFO技术，以提升性能和降低成本。三星计划在2028年推出LPW DRAM，而SK海力士则通过VFO技术提高能效。

移动HBM作为下一代半导体，正受到业界关注。三星和SK海力士在技术研发和量产能力上展开竞争，推动智能手机、PC、AR/VR设备性能升级。未来，HBM有望重塑这些设备的性能边界，成为边缘计算时代的核心内存解决方案。