TechInsights报告显示,2025年一季度将首次推出D1c DRAM产品,由SK海力士率先推出。预计2026年和2027年,D1c DRAM将在市场中占据主导地位,包括HBM4 DRAM应用。当前,HBM3和HBM3E性能优异但价格较高,而LPDDR5和DDR5价格较低但性能较弱。未来AI和数据中心需求将推动更高容量的DRAM芯片发展,如32Gb、48Gb或64Gb。为了满足这一需求,需开发3D DRAM架构,如4F2 VCT单元、IGZO DRAM单元或3D堆叠DRAM单元。预计到2027年底,DRAM将迈入个位数纳米技术节点,如D0a,随后是0b和0c世代。
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