TechInsights报告显示，2025年一季度将首次推出D1c DRAM产品，由SK海力士率先推出。预计2026年和2027年，D1c DRAM将在市场中占据主导地位，包括HBM4 DRAM应用。当前，HBM3和HBM3E性能优异但价格较高，而LPDDR5和DDR5价格较低但性能较弱。未来AI和数据中心需求将推动更高容量的DRAM芯片发展，如32Gb、48Gb或64Gb。为了满足这一需求，需开发3D DRAM架构，如4F2 VCT单元、IGZO DRAM单元或3D堆叠DRAM单元。预计到2027年底，DRAM将迈入个位数纳米技术节点，如D0a，随后是0b和0c世代。