GaN（氮化镓）因其高电子迁移率和低损耗特性，正在推动电机驱动领域的革新。它使得逆变器能在更高频率下运行，降低成本并降低噪音和尺寸。GaN的优势包括：高效率（如DRV7308 GaN IPM提升至99%+），高功率密度（减小55%的封装尺寸），简化热管理（减少散热需求），以及支持高频率操作（达3 MHz）。它还能缩短死区时间，降低电机驱动的失真，从而提高效率和性能。尽管面临绕组绝缘、轴承寿命和电缆反射等挑战，但GaN技术的潜力巨大，尤其在低电感和高速电机应用中，有望解决现有技术的局限，推动电机驱动系统进入新的发展阶段。