6月26日消息，为突破AI算力“内存墙”瓶颈，高通在投资者日上正式发布全新“HBC”高带宽计算近内存架构。该架构将AI加速器独立并堆叠于LPDDR内存之下，通过TSV硅通孔直连，不仅将延迟降至SRAM级别，还避免了HBM内存的高功耗与高发热，其单位功耗带宽达HBM的5至7倍。根据路线图，高通今年将推出搭配传统内存的“AI200”加速器；明年亮相首款HBC产品“AI250”，带宽提升18倍；后年推出“AI300”，带宽狂飙54倍。此举有望让特定AI负载实现性能线性提升。