《科创板日报》6日消息，日本NAND闪存巨头铠侠宣布中长期业务计划，计划五年内将其在日本四日市工厂和北上工厂的产能较2024财年翻一番，目标在2029财年达成，以应对人工智能数据中心对NAND闪存的需求增长。铠侠还计划于2026年下半年开始生产下一代内存产品。

铠侠在CES 2025上展示了面向AI、汽车、消费者、工业等领域的新一代SSD硬盘与存储卡产品。第八代BiCS FLASH采用218层堆叠设计，位密度提升超50%，读写能效显著提高。铠侠推出的企业级CM7系列、数据中心级CD8P系列、SAS双端口PM7系列等全系列SSD产品，具备高性能、低延迟、高稳定等特性。CD8P系列稳定性高达99.999%，延迟低于250us。铠侠还展示了针对ADAS系统的通用闪存存储阵列，适应极端环境。这些创新产品助力AI、云端应用及大数据分析等领域的高效可靠存储。

【摘要】 日本NAND Flash大厂铠侠计划在未来三年内投资360亿日元，开发专为AI设计的CXL（Compute Express Link）省电存储器。此项目预计于2030至2034年间实现商业化。值得注意的是，日本政府将对该项目提供最高达50%的费用补贴。该技术旨在提高存储器的能效，满足日益增长的人工智能应用需求。（《科创板日报》7日讯，据日经新闻报道） 此摘要保留了关键信息，包括投资金额、时间框架、技术类型及政府支持情况，符合新闻摘要的要求。

铠侠科技宣布，其产线在6月恢复至满载状态，预计于7月开始量产业界最先进的218层NAND Flash产品，以满足生成式AI驱动的数据存储强劲增长需求。新产品将比现有产品提供约50%的存储容量提升和30%的能耗降低，标志着公司在市场中的技术领先地位。这一重要里程碑预计将在7月实现，显示了铠侠对未来的高效布局和市场响应速度。