11月4日，SK海力士在韩国首尔举行的AI峰会上公布了未来存储技术路线图。根据规划，2026~2028年将推出16层堆叠的HBM4内存、LPDDR5R和LPDDR6等DRAM产品，以及PCIe Gen6固态硬盘和UFS 6.0存储方案。2029~2031年，公司将进入HBM5 (E)时代，同时发布DDR6、GDDR下一代产品、3D DRAM，以及400+层堆叠NAND和PCIe Gen7 SSD。此外，SK海力士计划通过定制化HBM解决方案，将控制器等功能集成到HBM基础裸片中，提升计算效率并降低能耗。公司还提出AI时代DRAM三大发展方向：低功耗高性能的AI-D O、集成计算能力的AI-D B，以及扩展应用领域的AI-D E。