12月4日，存储芯片制造商美光科技宣布将退出Crucial（英睿达）消费业务，专注于AI时代的先进存储芯片竞争。在内存条价格持续上涨的背景下，美光决定关闭零售渠道业务，现有库存将持续销售至本财年第二季度末（2026年2月）。公司将继续供应美光品牌的企业产品给全球商业客户，并确保现有产品的保修服务不受影响。此举标志着美光战略转向更高附加值的领域，以应对AI技术驱动的市场需求变化。

11月29日，据财联社报道，美国存储芯片巨头美光宣布将在日本西部投资96亿美元，用于生产人工智能（AI）内存芯片。这一重大投资计划旨在满足全球市场对高性能AI芯片日益增长的需求，同时加强美光在尖端技术领域的竞争力。此次投资不仅将推动日本半导体制造业的发展，还可能进一步巩固美日在高科技领域合作的战略布局。这一消息引发了业界广泛关注，显示出AI技术对半导体行业的深远影响。

2025年11月18日，投资者对人工智能领域的态度正趋于理性，不再盲目追逐AI风口，而是聚焦于谁将成为最终赢家。像CoreWeave Inc.这类亏损严重、负债累累的公司近期股价暴跌，而美光科技等盈利前景可观的企业则受到热捧，其股价创下历史新高，年内涨幅约180%。市场重新评估现金流不足的企业，甲骨文因高债务压力股价回落33%，Meta也因大规模投资引发担忧，股价下跌近20%。相比之下，Alphabet凭借强劲云业务表现脱颖而出。业内人士指出，投资者更青睐资产负债表稳健的公司，抛售投机性强的股票，这与互联网泡沫时期类似。尽管如此，AI需求依然旺盛，英伟达即将发布的财报备受关注，市场对AI基础设施的投资前景仍持乐观态度。

11月6日，受HBM4涨价消息推动，美股存储板块爆发，美光科技股价周三大涨近9%，盘中创下239.88美元的历史新高。韩国SK海力士透露，与英伟达完成HBM4供应谈判，单价较HBM3E高出50%以上，达到约560美元，超出市场预期。此消息提振存储行业情绪，希捷科技和闪迪涨超10%，西部数据涨超5%。美光2025财年HBM相关收入达100亿美元，第四财季单季收入接近20亿美元。多家机构上调美光目标价，花旗预测DRAM价格将创90年代以来最大季度涨幅。不过，美光HBM4面临良率与性能挑战，可能需重新设计并推迟量产，同时SK海力士与三星扩产或加剧竞争压力。

美光于10月22日在美国爱达荷州宣布，已向客户出样基于1-gamma LPDDR5x DRAM的192GB SOCAMM2内存模组。新产品传输速率达9600MT/s，容量较初代提升50%，DRAM Die级别能效提升超20%。针对数据中心AI系统，该模组可将首Token延迟缩短80%以上，并在Vera Rubin NVL144机架系统中提供超40TB CPU内存（每系统36颗CPU，每颗配备6根SOCAMM2）。美光高管表示，其低功耗DRAM技术领先，SOCAMM2模块具备高数据吞吐量、能效和容量，适合驱动新一代AI数据中心服务器。

10月17日，纽约州公共服务委员会批准了一条两英里长、345千伏的地下输电线路，连接克莱变电站与美光科技拟建于奥诺纳加县的半导体工厂。这是美光在纽约州中部千亿美元投资计划的关键进展，预计未来二十年将创造超5万就业岗位，包括9000个直接岗位。美光股价当日大涨5.52%。项目计划在2030年前投产，届时产能将占美国半导体总产量的四分之一。纽约州长霍楚尔称此为历史性投资，并强调其对地区经济转型的重要性。美光高管表示，这一批准推动了其打造领先制造能力的目标，同时支持美国AI技术和制造业复兴。

2025年9月24日，美光科技发布2025财年第四季度财报，营收113.2亿美元，同比增长46%，超市场预期。公司预计2026财年第一财季营收122亿至128亿美元，毛利率达50.5%-52.5%。CEO Sanjay Mehrotra指出，DRAM和NAND库存紧张，HBM需求显著增长，预计2026年HBM出货量增速将超整体DRAM，成为核心增长驱动力。美光计划2026年第二季度量产HBM4，性能领先行业。此外，AI推动数据中心、智能手机和PC对存储的需求，供应紧张局面将持续至2026年。公司资本支出预计达180亿美元，主要用于DRAM相关产能扩展。

2025年9月24日，美光科技公布截至8月28日的第四财季业绩，营收113.2亿美元，同比增长46%，调整后每股收益3.03美元，超出预期。云内存业务销售额达45.4亿美元，同比增长超两倍，但数据中心业务收入下降22%。DRAM和NAND营收分别占总营收79%和20%。公司预计2026财年第一财季营收122亿至128亿美元，毛利率50.5%-52.5%，高于市场预期。美光CEO表示，AI推动高带宽存储芯片（HBM）需求激增，Q4 HBM收入近20亿美元，并计划未来几个月敲定2026年HBM销售协议。

8月12日，美光科技上调第四财季收入和利润预期，预计收入为112亿美元（上下浮动1亿），调整后每股收益2.85美元（上下浮动7美分），毛利率达44.5%。公司股价因此涨超4%。美光称，DRAM价格改善推动业绩预期上调，尤其受益于人工智能基础设施对存储芯片需求的激增。分析师指出，HBM芯片供应限制与AI需求强劲助力美光提升产品定价，扭转存储芯片利润率下滑趋势。此前SK海力士预测，到2030年HBM市场将以每年30%增长。此外，美光因在美国制造免受芯片关税影响，并计划增加300亿美元投资，总额达2000亿美元。

美光科技公布强劲第二财季财报，营收80.5亿美元超预期，第三财季营收预测达88亿美元±2亿，再次超出华尔街预期。这得益于AI模型所需的HBM芯片需求激增，美光称2025全年HBM产能已全部售罄。受此影响，美光股价盘后一度涨超4%，最终收涨1.36%。美光预计未来数据中心和消费者市场对DRAM、NAND需求将持续增长，并计划将潜在关税成本转嫁给客户。CEO Sanjay Mehrotra表示，公司有望在2025财年实现创纪录收入及更高盈利能力。