美光于10月22日在美国爱达荷州宣布，已向客户出样基于1-gamma LPDDR5x DRAM的192GB SOCAMM2内存模组。新产品传输速率达9600MT/s，容量较初代提升50%，DRAM Die级别能效提升超20%。针对数据中心AI系统，该模组可将首Token延迟缩短80%以上，并在Vera Rubin NVL144机架系统中提供超40TB CPU内存（每系统36颗CPU，每颗配备6根SOCAMM2）。美光高管表示，其低功耗DRAM技术领先，SOCAMM2模块具备高数据吞吐量、能效和容量，适合驱动新一代AI数据中心服务器。

10月17日，纽约州公共服务委员会批准了一条两英里长、345千伏的地下输电线路，连接克莱变电站与美光科技拟建于奥诺纳加县的半导体工厂。这是美光在纽约州中部千亿美元投资计划的关键进展，预计未来二十年将创造超5万就业岗位，包括9000个直接岗位。美光股价当日大涨5.52%。项目计划在2030年前投产，届时产能将占美国半导体总产量的四分之一。纽约州长霍楚尔称此为历史性投资，并强调其对地区经济转型的重要性。美光高管表示，这一批准推动了其打造领先制造能力的目标，同时支持美国AI技术和制造业复兴。

2025年9月24日，美光科技发布2025财年第四季度财报，营收113.2亿美元，同比增长46%，超市场预期。公司预计2026财年第一财季营收122亿至128亿美元，毛利率达50.5%-52.5%。CEO Sanjay Mehrotra指出，DRAM和NAND库存紧张，HBM需求显著增长，预计2026年HBM出货量增速将超整体DRAM，成为核心增长驱动力。美光计划2026年第二季度量产HBM4，性能领先行业。此外，AI推动数据中心、智能手机和PC对存储的需求，供应紧张局面将持续至2026年。公司资本支出预计达180亿美元，主要用于DRAM相关产能扩展。

2025年9月24日，美光科技公布截至8月28日的第四财季业绩，营收113.2亿美元，同比增长46%，调整后每股收益3.03美元，超出预期。云内存业务销售额达45.4亿美元，同比增长超两倍，但数据中心业务收入下降22%。DRAM和NAND营收分别占总营收79%和20%。公司预计2026财年第一财季营收122亿至128亿美元，毛利率50.5%-52.5%，高于市场预期。美光CEO表示，AI推动高带宽存储芯片（HBM）需求激增，Q4 HBM收入近20亿美元，并计划未来几个月敲定2026年HBM销售协议。

8月12日，美光科技上调第四财季收入和利润预期，预计收入为112亿美元（上下浮动1亿），调整后每股收益2.85美元（上下浮动7美分），毛利率达44.5%。公司股价因此涨超4%。美光称，DRAM价格改善推动业绩预期上调，尤其受益于人工智能基础设施对存储芯片需求的激增。分析师指出，HBM芯片供应限制与AI需求强劲助力美光提升产品定价，扭转存储芯片利润率下滑趋势。此前SK海力士预测，到2030年HBM市场将以每年30%增长。此外，美光因在美国制造免受芯片关税影响，并计划增加300亿美元投资，总额达2000亿美元。

美光科技公布强劲第二财季财报，营收80.5亿美元超预期，第三财季营收预测达88亿美元±2亿，再次超出华尔街预期。这得益于AI模型所需的HBM芯片需求激增，美光称2025全年HBM产能已全部售罄。受此影响，美光股价盘后一度涨超4%，最终收涨1.36%。美光预计未来数据中心和消费者市场对DRAM、NAND需求将持续增长，并计划将潜在关税成本转嫁给客户。CEO Sanjay Mehrotra表示，公司有望在2025财年实现创纪录收入及更高盈利能力。

3月14日消息，存储芯片巨头美光科技位于新加坡的制造工厂突发断电，导致下游企业无法及时获取NAND闪存芯片。为缓解营收压力，美光计划向供应商提价超10%。受此影响，3月13日美光股价下跌0.79%，市值蒸发约61亿元人民币，最新市值降至1057.13亿美元。美光是全球第三大DRAM厂商，其在新加坡设有三家3D NAND制造工厂，并计划未来五年投资70亿美元扩建新厂，预计2026年投产，初期将创造1400个工作岗位。美光CEO Sanjay Mehrotra强调，对HBM先进封装工厂的投资将助力其把握AI发展机遇。此外，美光即将于3月20日发布财报，分析师预测本季度收入同比增长35.6%。截至目前，美光尚未回应此次停电事故。

3月12日消息，美光科技新加坡工厂突发断电导致下游企业缺货。美光已向供应商提出NAND闪存芯片涨价10%以上，以应对营收利润下滑。此外，闪迪计划从4月起也将提高NAND闪存价格10%以上，三星和SK海力士也在准备涨价。美光将在3月20日发布新一季度业绩报告。

美光科技宣布将在未来几年内投资70亿美元，在新加坡扩建制造业务。新工厂于1月8日破土动工，预计2026年投入运营，主要用于封装高带宽存储芯片，适用于人工智能数据中心。该工厂还将创造约1,400个就业岗位。美光表示，此扩张计划将支持其NAND的长期制造需求。

北京时间9月14日，《科创板日报》报道，法国巴黎银行旗下的证券部门Exane BNP Paribas发出警告，认为HBM（高带宽内存）市场即将迎来供应过剩的局面。该机构将美光科技的评级从“跑赢大市”直接下调至“跑输大市”，目标价从140美元降至67美元。Exane BNP Paribas预测，到20...