美光科技公布强劲第二财季财报，营收80.5亿美元超预期，第三财季营收预测达88亿美元±2亿，再次超出华尔街预期。这得益于AI模型所需的HBM芯片需求激增，美光称2025全年HBM产能已全部售罄。受此影响，美光股价盘后一度涨超4%，最终收涨1.36%。美光预计未来数据中心和消费者市场对DRAM、NAND需求将持续增长，并计划将潜在关税成本转嫁给客户。CEO Sanjay Mehrotra表示，公司有望在2025财年实现创纪录收入及更高盈利能力。

3月14日消息，存储芯片巨头美光科技位于新加坡的制造工厂突发断电，导致下游企业无法及时获取NAND闪存芯片。为缓解营收压力，美光计划向供应商提价超10%。受此影响，3月13日美光股价下跌0.79%，市值蒸发约61亿元人民币，最新市值降至1057.13亿美元。美光是全球第三大DRAM厂商，其在新加坡设有三家3D NAND制造工厂，并计划未来五年投资70亿美元扩建新厂，预计2026年投产，初期将创造1400个工作岗位。美光CEO Sanjay Mehrotra强调，对HBM先进封装工厂的投资将助力其把握AI发展机遇。此外，美光即将于3月20日发布财报，分析师预测本季度收入同比增长35.6%。截至目前，美光尚未回应此次停电事故。

3月12日消息，美光科技新加坡工厂突发断电导致下游企业缺货。美光已向供应商提出NAND闪存芯片涨价10%以上，以应对营收利润下滑。此外，闪迪计划从4月起也将提高NAND闪存价格10%以上，三星和SK海力士也在准备涨价。美光将在3月20日发布新一季度业绩报告。

美光科技宣布将在未来几年内投资70亿美元，在新加坡扩建制造业务。新工厂于1月8日破土动工，预计2026年投入运营，主要用于封装高带宽存储芯片，适用于人工智能数据中心。该工厂还将创造约1,400个就业岗位。美光表示，此扩张计划将支持其NAND的长期制造需求。

美光科技即将在6月28日凌晨发布最新财报，预计展现DRAM和NAND需求回暖及AI市场对其高带宽存储芯片的推动。尽管经历存储芯片寒冬，美光上个财季利润回正。华尔街预估Q3营收将达667亿美元，同比增长78%，调整后EPS转正。DRAM市场合同价因供需关系上涨，AI PC和旗舰手机内存需求强劲。HBM3E芯片贡献收入，HBM供应紧张，有望在未来两年增厚毛利率。市场期待美光对下一财季的营收指引，分析师预期第四财季营收可能达80亿美元。此外，美光正加速HBM产能扩张，目标2025年市场份额提升至20%-25%。投资者关注公司扩产动态及业绩指引，股价有望随乐观预期上涨。