4月1日，韩国两大芯片巨头三星电子与SK海力士宣布加大在华投资，以应对人工智能领域内存短缺问题。三星将在西安工厂投资4654亿韩元（约3.04亿美元），同比增长67.5%，并完成第八代V-NAND工艺升级实现量产。SK海力士则分别向无锡和大连工厂投入5811亿韩元和4406亿韩元，同比增长102%和52%，用于提升DRAM和NAND产能。这一战略布局响应全球内存芯片需求增长，凸显中国在全球半导体供应链中的重要地位。

9月26日，韩国两大芯片制造商SK海力士和三星电子因人工智能推动市值本月暴增逾千亿美元。SK海力士凭借高带宽内存（HBM）芯片需求股价飙升33%，三星电子也有望创下2001年以来最佳单月表现。分析师预测，存储芯片行业将迎来“超级周期”，传统DRAM和NAND芯片供需失衡或在2026年出现。外资加速流入，SK海力士和三星电子市盈率分别仅为7倍和14倍，远低于美国同行。投行普遍看好三星电子未来12个月突破历史高点，目标价超91000韩元。里昂证券称，两家公司将在AI基础设施建设中持续受益。